Regensburg 1998 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: Poster II
Wednesday, March 25, 1998, 10:30–19:00, A
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10:30 | HL 24.1 | Optische Nahfeldspektroskopie einzelner Halbleiternanostrukturen bei tiefen Temperaturen — •Ch. Lienau, A. Richter, M. Süptitz, T. Elsaesser, M. Ramsteiner, R. Nötzel und K.H. Ploog |
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10:30 | HL 24.2 | Magnetooptische Untersuchungen von Exzitonen in InGaAs/ InP-MQWs mit unterschiedlichem Kopplungsgrad — •M. Rode, O. Jaschinski, J. Schoenes, P. Bönsch und A. Schlachetzki |
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10:30 | HL 24.3 | HRTEM-Untersuchung von InxGa1−xAs/GaAs(001) - Inselstrukturen — •U. Fischer, A. Rosenauer, T. Remmele, D. Ger-thsen und A. Förster |
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10:30 | HL 24.4 | Ortsaufgelöste Raumtemperatur Photolumineszenz von GaAs und AlGaAs — •G. Letay, F. Dimroth, O. Sulima und A. W. Bett |
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10:30 | HL 24.5 | Elektrooptische Untersuchungen höherer Bandübergänge in quaternären III-V Halbleitern InGaAsP — •C. Reh und G. Weiser |
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10:30 | HL 24.6 | Persistente Leitfähigkeitsänderungen in n-GaAs unter Einfluß von filamentären Stromfluß — •H. Klimenta, S. Angloher, M. Danner und W. Prettl |
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10:30 | HL 24.7 | Untersuchung der elektrischen Struktur von Ga-Leerstellen in GaP(110)-Oberfl"achen mit dem Rastertunnelmikroskop — •C. Domke, Ph. Ebert, and K. Urban |
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10:30 | HL 24.8 | Untersuchungen zum reaktives Ionenstrahlätzen von InSb und InAs — •Frank Frost, Axel Schindler, Frieder Bigl und Gerd Lippold |
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10:30 | HL 24.9 | Untersuchungen zur Arsen-Diffusion in Galliumphosphid — •J. Pöpping, G. Bösker, N.A. Stolwijk, A. Burchard und H. Mehrer |
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10:30 | HL 24.10 | Resonantes Tunneln durch InAs-Dots — •I. Hapke-Wurst, P. König, U. Zeitler, R.J. Haug, K. Pierz und F.-J. Ahlers |
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10:30 | HL 24.11 | Arsen-Diffusion in intrinsisches und zinkdotiertes Galliumarsenid — •G. Bösker, N.A. Stolwijk, U. Södervall, A. Burchard und H. Mehrer |
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10:30 | HL 24.12 | Temperaturabhängigkeit der effektiven Elektronenmasse von InSb aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz, des Schubnikow- de Haas-Effektes und der Raman-Streuung — •S. Krull, D. Schneider, G. Irmer und P. Verma |
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10:30 | HL 24.13 | Temperaturabh"angigkeit der effektiven Elektronenmasse von InAs aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz und Raman-Streuung f"ur Temperaturen zwischen T=90 K und 340 K — •C. Brink, D. Schneider, G. Irmer, and P. Verma |
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10:30 | HL 24.14 | Ortsaufgelöste Photolumineszenz-Messungen an lateralen InGaAsP-Strukturen bei tiefen Temperaturen — •Ralf Schönfelder, Klaus Thonke, Martin Wachter und Rolf Sauer |
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10:30 | HL 24.15 | Herstellung dünner AlN-Schichten auf NiAl(110) mittels thermischer Ammoniak-Zersetzung — •F. Baur, G. Schmitz, E. Rokuta, Ch. Oshima und R. Franchy |
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10:30 | HL 24.16 | Struktur und Lumineszenz von homoepitaktischen GaN(0001)-Schichten — •Silke Christiansen, Martin Albrecht, Horst P. Strunk, Carlo Zanotti-Fregonara, Giancarlo Salviati, Markus Mayer, Arthur Pelzmann, Markus Kamp, Izabella Grzygory und Sylvester Porowski |
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10:30 | HL 24.17 | Dekomposition, Ordnung und Polytypie in heteroepitaktischen (Al,Ga)N Schichten: Transmissionselektronenmikroskopie und Kathodolumineszenz — •Martin Albrecht, Silke Christiansen, Carlo Zanotti-Fregonara, Giancarlo Salviati, Helmut Angerer, Roman Dimitrov, Oliver Ambacher, Martin Stutzmann und Horst P. Strunk |
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10:30 | HL 24.18 | MOMBE-Wachstum dünner InGaAsP-Vielschichtstrukturen für optoelektronische Bauelemente — •Philipp Kröner, Michael Popp, Horst Baumeister, Markus Keidler, Harald Heinecke und Eberhard Veuhoff |
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10:30 | HL 24.19 | Defektinduzierte Katodolumineszenz in InP und CdTe — •N. Engler, H.S. Leipner, L. Höring und J. Schreiber |
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10:30 | HL 24.20 | Conducting AFM for characterization of thin SiO2 — •Alexander Olbrich, Bernd Ebersberger, Christian Boit, Johann Vancea, and Horst Hoffmann |
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10:30 | HL 24.21 | Lithografie auf Halbleitern, Isolatoren und Metallen mit dem Rasterkraftmikroskop — •U. Röder, B. Klehn und U. Kunze |
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10:30 | HL 24.22 | The origin of the integral barrier height in inhomogeneous Schottky contacts: A ballistic electron emission microscopy (BEEM) study — •Alexander Olbrich, Johann Vancea, Franz Kreupl, and Horst Hoffmann |
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10:30 | HL 24.23 | Untersuchung von Ordnungsphänomenen in ternären Verbindungshalbleitern mittels Cross-Sectional Rastertunnelmikroskopie — •A. J. Heinrich, M. Wenderoth, T. C. G. Reusch und R. G. Ulbrich |
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10:30 | HL 24.24 | Infrared absorption in amorphous silicon from ab initio molecular dynamics — •Alberto Debernardi, Marco Bernasconi, Manuel Cardona, and Michele Parrinello |
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10:30 | HL 24.25 | Photolumineszenz von Er3+ Ionen in amorphem Silizium (a-Si:H) — •H. Kühne, G. Weiser und J. Terukov |
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10:30 | HL 24.26 | Untersuchung der Amorphisierung von III/V Halbleitern durch Implantation — •P. Friedsam, K. Freitag, M. Forker und R. Vianden |
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10:30 | HL 24.27 | Generationsratenabhängigkeit der Photostromantwort in amorphen Halbleitern — •H. Cordes und R. Brüggemann |
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10:30 | HL 24.28 | Spektrale Quanteneffizienz von a-Si:H Dioden unter Biasbeleuchtung — •T. Binnewies, T. Unold, R. Brüggemann und G.H. Bauer |
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10:30 | HL 24.29 | Phononen Zustandsdichte und Lokalisierungseigenschaften verschiedener Strukturmodelle für a-Si — •F. Finkemeier und W. von Niessen |
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10:30 | HL 24.30 | Elektronische Zustandsdichten und Lokalisierungseigenschaften verschiedener Strukturmodelle für a-Si und a-Si:H — •S. Knief, Th. Koslowski und W. von Niessen |
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10:30 | HL 24.31 | Eigenschaften von a-Si1−x Cx:(O,H)–Dünnfilmen hergestellt aus Triethylsilan — •J. Niemann und W. Bauhofer |
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10:30 | HL 24.32 | Dunkel- und Photoleitung in mikrokristallinem Silizium. — •M. Rojahn und R. Brüggemann |
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10:30 | HL 24.33 | Wachstum von mikrokristallinem Silizium hergestellt mit der Layer-by-Layer Methode — •O. Vetterl, L. Houben, P. Hapke, F. Finger, R. Carius, and H. Wagner |
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10:30 | HL 24.34 | a-Si1−xCx:H Dünnschichten als Szintillatorfläche in UV-Sensoren — •J. Seekamp, O. Liepelt, J. Henneberg, B. Wicht, J. Niemann und W. Bauhofer |
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10:30 | HL 24.35 | Thermochemical Polishing of Diamond — •Alexander Zaitsev, Gaby Kosaca, Frank Blum, and Wolfgang R. Fahrner |
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10:30 | HL 24.36 | Thermal Conductivity Measurment Set-up — •Andrej Denisenko, J"org Bonhaus, Frank Blum, and Wolfgang R. Fahrner |
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10:30 | HL 24.37 | Wachstum und "Atzen an der Grenzfl"ache von orientierten CVD Diamantschichten auf Silizium — •A. Bergmaier, G. Dollinger, A. Fl"oter, and H. G"uttler |
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10:30 | HL 24.38 | Optische-DLTS-Untersuchungen an InAs Monolagen im GaAs — •R. Pickenhain, H. Schmidt und V. Gottschalch |
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10:30 | HL 24.39 | Nahfeld-Verst"arkung des photoresistiven Effektes in n-GaAs/Al-Schottky-Tunnelkontakten — •E. Zepezauer, A.Ya. Shul’man, I.N. Kotel’nikov, S.D. Ganichev, A. Ormont, and W. Prettl |
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10:30 | HL 24.40 | Unordnungsinduzierte Verschiebung der Zyklotronresonanz des 2DES in δ-dotierten GaAs/GaAlAs-Heterostrukturen — •M. Widmann, R. Sellin, U. Merkt, M. Cortés, W. H"ausler, and K. Eberl |
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10:30 | HL 24.41 | Magnetfeldinduzierte räumliche Dispersion in den magnetischen Halbleitern Cd1−xMnxTe. — •B.B. Krichevtsov, R.V. Pisarev, A.A. Rzhevsky, V.N. Gridnev, and H.-J. Weber |
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10:30 | HL 24.42 | Optische Nahfeld-Reflektionsspektroskopie an Halbleiternanostrukturen — •W. Langbein, J.M. Hvam, and S.M. Madsen |
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10:30 | HL 24.43 | Der optische Stark-Effekt mit gequetschtem Strahlungsfeld — •T. Altevogt, H. Puff und R. Zimmermann |
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10:30 | HL 24.44 | Exzitonen-Spektren von ungeordneten Halbleiterstrukturen — •E. Runge, A. Esser und R. Zimmermann |
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10:30 | HL 24.45 | Optische Streuung in mikrokristallinem Silizium aus hot-wire CVD — •P. Reinig, R. Brüggemann und G.H. Bauer |
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10:30 | HL 24.46 | Nonlinear Absorption and Pulse Propagation in ZnSe — •Q.Y. Peng, G. Manzke, U. Moldzio, and K. Henneberger |
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10:30 | HL 24.47 | EXZITONEN-IONISATION IN EINEM HALBLEITER QUANTENTOPFSYSTEM: PUMP-AND-PROBE EXPERIMENTE MIT AKUSTISCHEN OBERFLÄCHENWELLEN — •M. Streibl, C. Rocke, A.O. Govorov, A. Wixforth, G. Böhm und W. Wegscheider |
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10:30 | HL 24.48 | Geladene Exzitonen in schwach dotierten Halbleitern — •F.X. Bronold und H. Böttger |
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10:30 | HL 24.49 | Calculated optical spectra of LaTiO3 — •O.V. Krasovska , V.N. Antonov , and W. Schattke |
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10:30 | HL 24.50 | Photonische Zustände in gekoppelten Mikroresonatoren — •T. Gutbrod, M. Bayer, A. Dremin, A. Forchel, T.L. Reinecke und P.A. Knipp |
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10:30 | HL 24.51 | Anomale Diffusion von Bor in Silicon-on-Insulator-Substraten — •S. Pindl, E. Hammerl und H. von Philipsborn |
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10:30 | HL 24.52 | Stöchiometriebedingte Bildung von Leerstellen in GaAs — •J. Gebauer, R. Krause-Rehberg und M. Lausmann |
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10:30 | HL 24.53 | LVM-Untersuchungen an Bor-Komplexen in VGF-GaAs — •Günter Gärtner und Carola Hannig |
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10:30 | HL 24.54 | Magnetische Resonanz flacher Donatoren in Galliumoxid — •U. Leib, D. M. Hofmann, A. Hofstaetter und B. K. Meyer |
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10:30 | HL 24.55 | Charakterisierung tiefer Störstellen in Halbleitern durch Tunnelionisation in Terahertzfeldern — •E. Ziemann, S.D. Ganichev, I.N. Yassievich und W. Prettl |
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10:30 | HL 24.56 | Tieftemperatur-Ausbreitungswiderstandsanalyse zur Untersuchung der Diffusion von Fremdelementen in Ge — •S. Vo"s, A. Giese, H. Bracht, N.A. Stolwijk, and H. Mehrer |
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10:30 | HL 24.57 | Diffusion von Zink in hochdotiertem n-leitenden Silicium — •A. Rodriguez Schachtrup, H. Bracht und H. Mehrer |
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10:30 | HL 24.58 | Optische Identifizierung von Ti3+ in ZnTe — •A. Dörnen, H.R. Selber, E. Baars, B. Kaufmann und H.-J. Schulz |
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10:30 | HL 24.59 | Zeemanspektroskopie an GaP:(Cr,S) — •E. Baars, A. Dörnen und W. Ulrici |
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10:30 | HL 24.60 | Isotopieverschiebungen von Rotatorzuständen von interstitiellem Sauerstoff in Germanium — •K. La"smann, N. Aichele, U. Gommel, C. Linsenmaier, F. Maier, F. Zeller, E.E. Haller, K.M. Itoh, L.I. Khirunenko, B. Pajot, and H. Müssig |
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10:30 | HL 24.61 | Dielektrische Resonanz an Beryllium-dotiertem Silicium — •H. Schroth, K. Laßmann, Chr. Borgmann und H. Bracht |
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10:30 | HL 24.62 | Orientierungsabhängigkeit des Makroporenwachstums in n-Si — •Silke Rönnebeck, Stefan Ottow und Helmut Föll |
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10:30 | HL 24.63 | Photolumineszenz und resonante Ramanspektroskopie an Siliziumfilmen, die durch größenselektierte Clusterstrahldeposition hergestellt wurden — •B. Kohn, M. Ehbrecht, F. Huisken, M.A. Laguna und V. Paillard |
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10:30 | HL 24.64 | Zum Metall-Isolator-"Ubergang in ungeordneten zweidimensionalen Systemen — •L. Schweitzer, I. Kh. Zharekeshev, and M. Batsch |
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10:30 | HL 24.65 | Spinaustausch und Lokalisation: Si:P am Metall-Isolator-Übergang — •M. Vidal, D. Reiser und G. Denninger |
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10:30 | HL 24.66 | In-situ Ätzen und MBE-Überwachsen zur Herstellung von GaAs-AlGaAs Quantendrähten — •S. Kramp, C. Klein, J. Lohse, Ch. Heyn, W. Hansen und D. Heitmann |
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10:30 | HL 24.67 | Untersuchung von oberflächennahen Defekten in GaAs-Wafern nach Sägen des Einkristalls — •F. Börner, S. Eichler, A. Polity und R. Hammer |
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10:30 | HL 24.68 | CVD deposition and 0 characterisation of highly conductive ZnO — •G. Heindel, B. Hahn, E. Griebl, E. Pschorr-Schoberer, M. Wörz, and W. Gebhardt |
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10:30 | HL 24.69 | Charakterisierung von mikrokristallinem Dünnschichtsilizium für Solarzellen — •V. Schlosser, J. Andreu, J. Bertomeu, A. Breymesser, M. Nelhiebel, D. Peiro, V. Plunger, M. Ramadori und P. Schattschneider |
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10:30 | HL 24.70 | Untersuchung des Ladungstransports in polykristallinen Solarzellen — •M. Ramadori, V. Plunger, V. Schlosser und J. Summhammer |
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10:30 | HL 24.71 | Untersuchungen an mikrokristallinem Silizium für die Verwendung in Heterojunction Solarzellen — •Günter Grabosch, Dietmar Borchert und Reza Hussein |
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10:30 | HL 24.72 | Silizium-Heterosolarzellen mit mikrokristalinem Emitter — •Dietmar Borchert, Günter Grabosch und Reza Hussein |
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10:30 | HL 24.73 | Defektpassivierung in CuInSe2: Optische Untersuchungen an getemperten Dünnschichten — •Ingo Dirnstorfer, Detlev M. Hofmann, Dirk Meister, Franz Karg und Bruno K. Meyer |
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10:30 | HL 24.74 | Zeitaufgelöste Photolumineszenz-Spektroskopie an CuIn(Ga)Se2 — •R. Weigand, B. Ohnesorge, G. Bacher, A. Forchel, W. Riedl und F. Karg |
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10:30 | HL 24.75 | Ab initio-Untersuchung des Hochdruck-Phasen"ubergangs in Si von der Diamant- in die β-Zn-Phase — •K. Gaal-Nagy, M. Schmitt, K. Karch, and D. Strauch |
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10:30 | HL 24.76 | Optische Phononen einer stark verspannten, niederdimensionalen InAs-Schicht in GaAs — •S. Reich, A. R. Goñi, A. Litvinchuk, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, A. Krost und D. Bimberg |
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10:30 | HL 24.77 | Temperaturabh"angigkeit der Raman-Frequenz von Diamant, Silizium und Germanium — •G. Lang, K. Karch, M. Schmitt, P. Pavone, R.K. Wehner, A.P. Mayer, and D. Strauch |
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10:30 | HL 24.78 | Untersuchung von Isotopeneffekten in SiC-Kristallen mittels Ramanstreuung — •F. Widulle, T. Ruf, O. Buresch und M. Cardona |
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10:30 | HL 24.79 | IC- und GC-DFB-Laser im Materialsystem GaInAs(P)/InP — •J. Wiedmann, R. Schreiner, M. Geiger, J. Porsche, M. Jetter, J.L. Gentner, F. Scholz, and H. Schweizer |
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10:30 | HL 24.80 | Untersuchungen an oberfl"achen-emittierenden Lasern (VCSEL) f"ur den roten Spektralbereich — •J. Schwarz, R. Winterhoff, F. Scholz, and H. Schweizer |
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10:30 | HL 24.81 | Nahfeldmikroskopische Untersuchungen an Halbleiterlasern — •Alexander Richter, Jens W. Tomm und Christoph Lienau |
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10:30 | HL 24.82 | Lasereigenschaften einer extrem dünnen InAs-Schicht eingebettet in GaAs — •M. Stroh, A.R. Goñi, C. Thomsen, F. Heinrichsdorff, V. Türck, A. Krost und D. Bimberg |
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10:30 | HL 24.83 | Dynamisches Verhalten des Halbleiterlasers im Grenzbereich zu Instabilitäten — •D. Preißer und O. Hess |
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10:30 | HL 24.84 | Lateral strukturierte Ga(Al)Sb basierende Mikroresonatoren — •J. Koeth, T. Bleuel, R. Dietrich, R. Werner und A. Forchel |
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10:30 | HL 24.85 | Charakterisierung von Zn-Ge-As-Verbindungen mittels Elektroreflexion — •M. Angelov, R. Goldhahn, G. Gobsch und S. Schön |
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10:30 | HL 24.86 | Elektronendichte tern"arer I-III-VI-Halbleiter — •Roland Spengler, Ali Shaukat, Hans Burzlaff, and Helmuth Zimmermann |
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10:30 | HL 24.87 | Wachstum von GaN und AlGaN mittels Hochtemperatur Gasphasenepitaxie — •Martin Theis, Stefan Fischer, Guido Steude, Ferdinand Anders, Friedrich Kurth, Detlev M. Hofmann und Bruno K. Meyer |
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10:30 | HL 24.88 | In situ Raman-Untersuchung des Wachstums von C60 Schichten auf GaAs(100), Si(100), Si(111) und Au — •R. Kaiser, T. Werninghaus, D. Drews, and D.R.T. Zahn |
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10:30 | HL 24.89 |
Elektrische Eigenschaften von polykristallinen Co-dotierten MOCVD-FeS2-Schichten — •J. Oertel, K. Ellmer, W. Bohne und J. Röhrich |
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10:30 | HL 24.90 | Herstellung und Charakterisierung halbleitender Ru2Si3-Schichten — •D. Lenssen, H.L. Bay, St. Mesters, R. Carius und S. Mantl |
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10:30 | HL 24.91 | Wachstum epitaktischer Siloxenschichten — •G. A. Vogg, M. S. Brandt und M. Stutzmann |
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10:30 | HL 24.92 | Herstellung von Hallsensoren im GaSb/InAs Materialsystem — •Michael Ritz, Roland Gessner, Manfred Druminski und Harald Heinecke |
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10:30 | HL 24.93 | Electronic structure of FeS2 : The crucial role of electron-lattice interaction — •V. Eyert, K.-H. Höck, S. Fiechter, and H. Tributsch |
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10:30 | HL 24.94 | Effekte der mittleren Dicke im Magnetfeld-induzierten, quasi zweidimensionalen Wigner-Kristall — •G. MEISSNER und S. SCHAAF |
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10:30 | HL 24.95 | An Alternative Full-Potential ELAPW Method — •F. Starrost, E. E. Krasovskii, and W. Schattke |
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10:30 | HL 24.96 | Cetineite: Elektronische und optische Eigenschaften einer neuen Familie nanoporöser Materialien — •F. Starrost, C. Ramirez, E. E. Krasovskii, W. Schattke, X. Wang, F. Liebau, J. Jockel und U. Simon |
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10:30 | HL 24.97 | Exzitonische Effekte in zwei- und dreidimensionalen Magnetopolaronen — •I. Himberg und B. Gerlach |
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10:30 | HL 24.98 | Paramagnetische Störstellen in Si nach Implantation von Pd — •Alexander Näser, Wolfgang Gehlhoff und Rossen A. Yankov |
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10:30 | HL 24.99 | Elektrische Eigenschaften von Sauerstoff-implantiertem Siliciumkarbid — •Thomas Dalibor, Gerhard Pensl, Tsunenobu Kimoto und Hiroyuki Matsunami |
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10:30 | HL 24.100 | SiC-Dünnschichtherstellung mittels Laser-Ablation und Laser-CVD — •Jens Meinschien, Marco Diegel, Fritz Falk und Herbert Stafast |
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10:30 | HL 24.101 | Photolumineszenz von Mg–dotierten kubischen GaN–Schichten — •Th. Simonsmeier, D.J. As, B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka |
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10:30 | HL 24.102 | Diffusion in ZnSe-basierten Heterostrukturen und lateral indexgeführte Laser — •M. Straßburg, M. Kuttler, O. Stier, V. Türck, U.W. Pohl, D. Bimberg, M. Behringer und D. Hommel |
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10:30 | HL 24.103 | EPR-Untersuchungen an Cd-korrelierten Störstellen in Si — •Alexander Näser, Wolfgang Gehlhoff, Manfred Lang und Gerd Pensl |
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10:30 | HL 24.104 | Einfluss der Form von Elektronenbilliards auf die Symmetrie der Leitfähigkeit — •Heiner Linke, Pär Omling, Hongqi Xu und Poul-Erik Lindelof |
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10:30 | HL 24.105 | Elektronenholographische Untersuchung von submikrometer MOSFET-Strukturen. — •Wolf-Dieter Rau |
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10:30 | HL 24.106 | Ein neuer Zugang zur Theorie des Landau-Pekar-Polarons — •Jörg Röseler, Michael Hartmann, and Klaus-Ulrich Neumann |
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10:30 | HL 24.107 | Selbstorganisation beim SiC-Schichtwachstum auf Si(001) durch Koverdampfung — •Eberhard Bugiel, Hans Jörg Osten und Peter Zaumseil |
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10:30 | HL 24.108 | Elektron-Elektron und Elektron-Phonon-Quantenkinetik in Quantendrähten — •T. Wolterink, M. Herbst, V.M. Axt und T. Kuhn |
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10:30 | HL 24.109 | Gainmechanismen in II-VI Strukturen mit exzitonischer Wellenführung — •Martin Straßburg, Igor L. Krestnikov, Nikolai N. Ledentsov, Axel Hoffmann und Immanuel Broser |
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10:30 | HL 24.110 | Herstellung von MnAs-Schichten mittels Molekularstrahlepitaxie und ihre strukturelle Charakterisierung — •Frank Schippan; J.Takemura, P.Schützendübe, B.Jenichen, L.Däweritz, K.H.Ploog |
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10:30 | HL 24.111 | Self-diffusion in SiC — •L. Torpo L. Torpo, M. Kaukonen, R. M. Nieminen and T. Frauenheim |
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10:30 | HL 24.112 | Polarisationsaufgelöste nahfeldoptische Untersuchungen oberflächenemittierender Laserdioden (VCSEL) — •M. Fischer, P. Spizig, O. Hollricher und O. Marti |
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10:30 | HL 24.113 | Nachweis flacher pn-Übergänge im Si mit dem STM — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski, Roland Nuffer und Silvia Hinrich |
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10:30 | HL 24.114 | TEM- Untersuchungen zur strukturellen Qualität von II-VI-Laserstrukturen — •I. Leiteritz, M. Behringer, A. Isemann, H. Selke, D. Hommel, K. Ohkawa und P.L. Ryder |
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10:30 | HL 24.115 | Kontaktlose Charakterisierung von a-Si/c-Si Heteroübergängen — •J. Löffler, S. von Aichberger, H. Feist und M. Kunst |
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10:30 | HL 24.116 | Exziton-LO-Phonon Quantenkinetik im Regime starker Fr"ohlichkopplung — •D. Steinbach, G. Kocherscheidt, M. Wegener, M. Kraushaar, H. Kalt, K. Ohkawa, and D. Hommel |
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10:30 | HL 24.117 | Kohärente Kontrolle von Elektron-LO-Phonon Streuprozessen — •M. U. Wehner, M. H. Ulm, D. S. Chemla und M. Wegener |
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10:30 | HL 24.118 | Vierwellenmischen mit Vorpuls an ZnSe/ZnMgSSe Mehrfachquantenfilmen — •S. Wachter, D. Lüerßen, J. Hoffmann, H. Kalt, F. Gindele, T. Reimann, K. Ohkawa und D. Hommel |
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10:30 | HL 24.119 | Bestimmung der mikroskopischen Bloch-Oszillationsamplitude mittels THz-Emission — •S. Tolk, R. Martini, F. Wolter, H. T. Grahn, R. Hey, P. Haring Bolivar, and H. Kurz |
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10:30 | HL 24.120 | Dynamik kalter Exzitonen in Cu2O — •L. Hanke, D. Fröhlich, J. Uhlenhut und H. Stolz |
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10:30 | HL 24.121 | Selbstinduzierte Transparenz an gebundenen Exzitonen in CdS — •M. Jütte, H. Stolz und W. von der Osten |
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10:30 | HL 24.122 | Phasenaufgelöste Polariton-Pulspropagation in GaAs — •J.S. Nägerl, B.A. Stabenau, T. Reker, G. Böhne und R.G. Ulbrich |
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10:30 | HL 24.123 | Erhöhung der spektralen Empfindlichkeit photoleitender Terahertzempfänger für Frequenzen oberhalb von 2THz — •Ingrid Wilke |
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10:30 | HL 24.124 | Energiespektrum von Halbleiter-Übergitterstrukturen mit breiten Quantentöpfen — •H. Kümmel, R. Till, A. Philipp, G. Böhm und G. Weimann |
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10:30 | HL 24.125 | FIR-Spektroskopie an Quantenpunktgittern mit Top- und Sidegate — •M. Hochgräfe, R. Krahne, T. Kurth, C. Heyn und D. Heitmann |
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10:30 | HL 24.126 | Temperaturabh"angigkeit der effektiven 2D-Elektronenmasse in GaAs/AlGaAs-HEMT-Strukturen aus Messungen der Magneto-Phonon-Resonanz f"ur T≤400 K — •Ch. Keilhack, S. Krull, D. Schneider, and O. P. Hansen |
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10:30 | HL 24.127 | Feldinduzierte optische Effekte in parabolischen GaAs/AlGaAs-Quantentopfstrukturen — •U. Klütz, W. Geißelbrecht, U. Sahr, G.H. Döhler, K. Maranowski, K. Campman und A.C. Gossard |
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10:30 | HL 24.128 | Herstellung, Präparation und Spektroskopie an modulationsdotierten parabolischen Quantumwells — •S. Bargstädt–Franke, Ch. Heyn und W. Hansen |
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10:30 | HL 24.129 | Obere und untere Schranken für die Exzitonbindungsenergie in Quantum Wells — •Joachim Wüsthoff, Bernd Gerlach, Mikhail A. Smondyrev und Maxim O. Dzero |
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10:30 | HL 24.130 | Die Grundzustandsenergie des Exziton-(LO)-Phonon-Systems in Quantum Wells — •Joachim Wüsthoff, Bernd Gerlach und Mikhail A. Smondyrev |
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10:30 | HL 24.131 |
Ortsaufgelöste Photolumineszenz von (001)- und (113)A-GaAs/ AlAs Übergittern im Vergleich — •A. Oehler, D. Lüerßen und H. Kalt |
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10:30 | HL 24.132 | Direkte ESR an zweidimensionalen Elektronengasen in den Systemen Si/Si1−yCy und SiGe — •C. Weinzierl, N. Nestle, H.-J. Kümmerer und G. Denninger |
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10:30 | HL 24.133 | Herstellung und Charakterisierung von CoSi2/Si-Heterostrukturen für die Nanostrukturierung mittels lokaler Oxidation — •L. Kappius, F. Klinkhammer, St. Mesters und S. Mantl |
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10:30 | HL 24.134 | Der Beitrag von Mini-Umklapp-Prozessen zur W"armeleitf"ahigkeit periodischer "Ubergitter — •M. Schmitt, A.P. Mayer, and D. Strauch |
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10:30 | HL 24.135 | SPEKTROSKOPIE GEKOPPELTER ELEKTRONENSYSTEME IN ULTRADÜNNEN FREITRAGENDEN HALBLEITERSCHICHTSYSTEMEN — •F. Hastreiter, M. Hartung, A. Wixforth, K.L. Campman und A.C. Gossard |
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10:30 | HL 24.136 | Wechselwirkung akustischer Oberflächenwellen mit einem periodisch modulierten 2DEG — •Yu.A. Kosevich, C. Eckl und A.P. Mayer |
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10:30 | HL 24.137 | Bloch oscillations and dc magnetotransport in biased superlattices in a strong magnetic field — •Yu. A. Kosevich |
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10:30 | HL 24.138 | Defektspektroskopie an Heteroübergängen aus (n)-amorphem/ (p)-kristallinem Silizium — •M. Rösch, R. Pointmayer, T. Unold und G.H. Bauer |
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10:30 | HL 24.139 | Untersuchung des Landaugaps eines zweidimensionalen Elektronensystems mit Kapazitäts- und Ferninfrarotspektroskopie — •K. Esmark, D. Schmerek, T. Kurth, Ch. Heyn, S. Bargst"adt–Franke, and W. Hansen |
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10:30 | HL 24.140 | Direkte Messung des Spin Gaps des zweidimensionalen Elektronengases in AlGaAs-GaAs Heterostrukturen — •D. Schmerek, V. T. Dolgopolov, A. A. Shashkin, A. V. Aristov, J. Henkmann, W. Hansen, J. P. Kotthaus, and M. Holland |
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10:30 | HL 24.141 | Cyclotron Resonance Lineshapes in HgSe:Fe-QWs with a Multi-Subband Population — •Oliver Portugall, Martin Barczewski, Michael von Ortenberg, Thorsten Widmer, Detlef Schikora, and Herbert Lischka |
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10:30 | HL 24.142 | Microscopic-scale lateral inhomogeneities in Schottky barriers — •S. Heun, Th. Schmidt, J. Slezak, J. Diaz, K.C. Prince, B. Müller, and A. Franciosi |