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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Photovoltaik IV

HL 26.10: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 12:45–13:00, H13

Stationäre Photolumineszenz in Cu(In_1−xGa_x)Se₂ (CIGS) — •D. Berkhahn¹, G.H. Bauer¹, T. Unold¹ und B. Dimmler² — ¹Fachbereich Physik, Carl von Ossietzky Universität Oldenburg — ²Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung, Stuttgart

CIGS ist ein quaternärer Chalkopyrit mit vielversprechenden Anwendungen in der Photovoltaik. Der Einfluss der Defekte, Komposition bzw. Schichtenfolge auf die strahlende Rekombination ist noch ungeklaert. In dieser Studie werden verschiedene Schichtensysteme von CuIn_0,72Ga_0,28Se₂ naemlich CIGS, CIGS-CdS und CIGS-CdS- ZnO mit stationären Photolumineszenzmessungen untersucht. Die Bestimmung der Differenz der Quasifermienergien (chemisches Potential) in den untersuchten Proben wird mit Hilfe des verallgemeinerten Planckschen Strahlungsgesetzes [1] anhand von intensitaets- und temperaturabhaengigen (77 K bis 295 K) Absolutmessungen der Lumineszenzstrahlung diskutiert.

[1] P. Würfel, J.Phys.C, 15, 3967-3985, (1982).