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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Photovoltaik IV

HL 26.1: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 10:30–10:45, H13

MOCVD von ZnSe für Sperrkontakte in Heterosolarzellen — •T. Kampschulte¹, U. Blieske¹, J. Albert¹, A. Bauknecht¹, V. Nadenau², M. Saad¹ und M. Ch. Lux-Steiner¹ — ¹Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, D-14109 Berlin — ²Universität Stuttgart, Institut für Physikalische Elektronik, Pfaffenwaldring 47, D-70569 Stuttgart

Für die Entwicklung von Cd-freien Chalkopyrit-Solarzellen ist ZnSe mit einer Bandlücke von 2.76eV ein interessanter Kandidat für alternative Pufferschichten. Ferner bietet mit metallorganischer Gasphasendeposition (MOCVD) abgeschiedenes ZnSe wegen weit niedrigeren Wachstumstemperaturen auch eine Alternative zu den herkömmlichen Fensterschichten in GaAs-Solarzellen. In einem Niedrigdruck-MOCVD System (AIX 200SC) wurde bei 340^∘C Cl-dotiertes n-ZnSe mit n bis 10¹⁹cm⁻³ epitaktisch auf GaAs(001) abgeschieden. Erste n-ZnSe/p-GaAs-Heterodioden zeigten eine Erhöhung der Leerlaufspannung, wenn anstelle einer gleichmäßig dotierten n-ZnSe-Schicht auf eine undotierte ZnSe-Pufferschicht eine Cl-dotierte ZnSe-Schicht mit ansteigendem Dotiergradieten abgeschieden wurde. Um die Eigenschaften von ZnSe als Pufferschicht in Chalkopyrit-Solarzellen zu studieren, wurden dünne, undotierte ZnSe-Schichten mittels MOCVD bei 280^∘C auf polykristalline CuGaSe₂-Dünnfilme deponiert und nachfolgend eine gesputterte ZnO-Fensterschicht aufgebracht. Diese Solarzellen zeigten gegenüber Dioden mit herkömmlicher CdS-Pufferschicht eine deutlich erhöhte Blauempfindlichkeit.