Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: Photovoltaik IV

HL 26.5: Talk

Thursday, March 26, 1998, 11:30–11:45, H13

Photospannungsuntersuchungen am por-Si/c-Si System — •Thomas Dittrich¹, Elizaveta Konstantinova^1,2 und Viktor Timoshenko³ — ¹Physik Department E16, Technische Universität München, 85748 Garching — ²Permanent address: Moscow State University, Physics Department, 119899 Moscow, Russia — ³Moscow State University, Physics Department, 119899 Moscow, Russia

Photospannungen entstehen immer dann, wenn Nichtgleichgewichtsladungsträ ger räumlich voneinander getrennt werden, z.B. in elektrischen Feldern oder durch ambipolare Diffusion oder durch Trapping. Diese Prozesse kann man am por-Si/c-Si System beobachten, indem man den Oxidationszustand der Proben oder die Absorptionsbedingungen des anregenden Lichtes variiert. Photospannungstransienten wurden in den Zeitintervallen von 10 ns bis 10 ms (gepulste Oberflächenphotospannungsmethode) und von 1 s bis mehrere Stunden (Kelvin-Sonden-Messungen) untersucht. Es wird eine unkonventionelle Methode vorgestellt, Diffusionslängen in granularen Systemen mittels Photospannung zu bestimmen.