Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN III

HL 27.10: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 12:45–13:00, H15

Ohmsche TiAl Metall-Halbleiterkontakte auf n-GaN — •F. Vertommen, B. Schineller und K. Heime — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl I, Templergraben 55, D-52056 Aachen

GaN ist zum bedeutendsten Halbleiter für optoelektronische Anwendungen im blauen Spektralbereich geworden. Für den Betrieb von Leuchtdioden und Halbleiterlasern, sowie Feldeffekttransistoren für Leistungsanwendungen, stellen die ohmschen Kontaktwiderstände limitierende Faktoren dar. Als ohmsche Widerstände auf n-dotiertem GaN werden Ti/Al basierende Metallisierungsschichten untersucht. Es wird vermutet, daß Ti an der Metall/GaN-Grenzfläche zur Ausbildung von TiN neigt, und damit zu N-Leerstellen im Kristall führt, die Donatorcharakter haben. Darüberhinaus deoxidiert Ti aufgrund seiner Affinität zum Sauerstoff die Halbleiteroberfläche. Aluminium, das durch die Ti-Schicht diffundiert, stellt den ohmschen Kontakt zum Halbleiter her. Die oben genannten Prozesse sind abhängig von der thermischen Behandlung der Metall/Halbleitergrenzfläche. Die Charakteristik der ohmschen Kontakte und ihre Abhängigkeit von den strukturellen Eigenschaften und der thermischen Prozessierung werden vorgestellt.