Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN III

HL 27.3: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:00–11:15, H15

Pufferschichten für das Wachstum von GaN auf Saphir mittels Molekularstrahlepitaxie — •R. Ebel, V. Kirchner, S. Einfeldt, H. Selke, S. Figge, C. Fechtmann, M. Fehrer, H. Heinke, and D. Hommel — Universit"at Bremen, Institut für Festkörperphysik - Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

GaN-Schichten wurden auf Al₂O₃(0001) mittels Molekularstrahlepitaxie aufgewachsen. Der Einfluß der hohen Gitterfehlanpassung von ca. 16% auf die strukturellen und optischen Eigenschaften dieser Schichten soll durch die Einführung einer dünnen Pufferschicht vermindert werden. Dazu wurde die Nukleation von Pufferschichten bei niedrigen Substrattemperaturen mittels AFM, XPS und TEM untersucht. HRXRD-, Photolumineszenz-, TEM- und AFM-Messungen dienten zur Untersuchung des Einflusses von Substrattemperatur, Pufferdicke und Ausheizschritten auf strukturelle, optische und elektrische Eigenschaften von undotierten GaN-Epischichten, die auf Pufferschichten abgeschieden wurden. Durch einen dünnen GaN-Puffer konnte die FWHM des (0002)-ω-Scans auf 49 gesenkt werden, wohingegen mittels TEM eine hohe Dichte an Inversionsdomänen beobachtet wird. Außerdem sind im 2Θ-ω-Scan Schichtdickenoszillationen sichtbar, die auf glatte Grenzflächen hinweisen, wie sie bisher ohne Pufferschichten nicht beobachtet wurden. Durch die Variation der Wachstumsparameter und den Einsatz unterschiedlicher Puffermaterialien (AlN und GaN) wird eine Optimierung hinsichtlich der Oberflächenrauhigkeit und der Leitfähigkeit angestrebt.