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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN III

HL 27.4: Talk

Thursday, March 26, 1998, 11:15–11:30, H15

Raumtemperatur-Photolumineszenz von GaN Volumenkristallen — •M. Steube¹, K. Reimann¹, D. Fröhlich¹, U. Heckers² und H. Jacobs² — ¹Institut für Physik, Universität Dortmund, 44221 Dortmund — ²Institut für Chemie, Universität Dortmund, 44221 Dortmund

Hexagonale GaN Volumenkristalle wurden aus einer Lösung von Gallium und Stickstoff in Natrium gezogen. Bei Raumtemperatur wurden mit einem 325 nm HeCd-Laser intensitätsabhängige Photolumineszenzuntersuchungen an diesen Kristallen durchgeführt. Neben der gelben Lumineszenz (500-700 nm) ist eine sehr starke ultraviolette Resonanz mit einer Breite von ca. 50 meV bei etwa 3,4 eV zu beobachten. Durch Vergleich von Spektren mit verschiedenen Anregungsintensitäten schließt man, daß die UV-Lumineszenz auf den Zerfall freier Exzitonen oder auf direkte Band-Band-Übergänge zurückzuführen ist. Temperatureffekte aufgrund der Aufheizung der Probe wurden nicht beobachtet. Der Nachweis der elektronischen Natur der UV-Lumineszenz zeigt die gute Qualität der Proben. Ein entscheidender Fortschritt bei der Probengröße würde eine neue Perspektive für die Herstellung von GaN Wafern für die Homoepitaxie eröffnen.