Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN III

HL 27.5: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:30–11:45, H15

Wachstum von GaN auf NdGaO₃ — •C. Fechtmann, V. Kirchner, M. Fehrer, A. Stockmann, H. Selke, S. Einfeldt und D. Hommel — Institut für Festkörperphysik - Bereich Halbleiterepitaxie und Institut für Werkstoffphysik und Strukturforschung — Universität Bremen, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

NdGaO₃, das als Substrat für das Wachstum von Hochtemperatursupraleitern eine weite Verbreitung gefunden hat, ist in den Orientierungen (101) und (011) auch für das Wachstum von (0001) Galliumnitrid (GaN) eine interessante Alternative zum c-plane Saphir, da es eine Gitterfehlanpassung von nur -1.2 % zu GaN aufweist und in vergleichbarer, hoher Qualität als 2” Wafer erhältlich ist.
Wir berichten von dem Wachstum von GaN auf (101) NdGaO₃ mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie (MBE) unter der Verwendung eines rf-Plasmas als Stickstoffquelle. Dabei zeigte sich, daß die Qualität der GaN-Schichten deutlich stärker von den verwendeten Wachstumsparametern und der Qualität der Substratoberfläche abhängig ist als beim Saphir. Die hierfür notwendige Präparation des Substrates und die optischen, elektrischen und strukturellen Eigenschaften der auf NdGaO₃ gewachsenen GaN-Schichten werden anhand von Photolumineszensspektren, Röntgenbeugung, Rasterkraftmikroskopie, Hall-Effekt-Messungen und Transmissionselektronenmikroskopie diskutiert und mit den von uns auf Saphir gewachsenen Schichten verglichen.