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Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN III

HL 27.7: Talk

Thursday, March 26, 1998, 12:00–12:15, H15

Transientes Vierwellenmischen an Exzitonen in GaN — •R. Zimmermann1, M.R. Hofmann1, A. Euteneuer1, J. Möbius1, D. Weber1, W.W. Rühle1, E.O. Göbel2, B.K. Meyer3, H. Amano4 und A. Akasaki41Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften,
Philipps–Universität, D–35032 Marburg, Germany — 2Physikalisch–Technische Bundesanstalt, D–38116 Braunschweig, Germany — 31. Physikalisches Institut der Universität Gießen, Heinrich–Buff–Ring 16, D–35393 Giessen — 4Department of Electrical and Electronic Engineering, Meiji University, 1–501 Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya 468-01 Japan

Die genaue Bestimmung der exzitonischen Struktur in GaN ist in linearen optischen Messungen durch starke inhomogene Verbreiterung sehr erschwert. Transientes Vierwellenmischen erlaubt dagegen eine von inhomogener Verbreiterung ungestörte Bestimmung von Bandabständen zwischen Exzitonen und von deren homogener Linienbreite.
Wir haben mittels transienter Vierwellenmischexperimente an einer hexagonalen Volumen–GaN–Probe den genauen Abstand zwischen A- und B-Exziton zu (7,98±0,03)meV und die Biexziton–Bindungsenergie zu (5,7±0,3)meV bestimmt. Die Abhängigkeit der homogenen Verbreiterung von Temperatur und Anregungsdichte liefert den Exziton–Phonon–Streukoeffizienten γph=8,2µeV/K, den Exziton–Exziton–Streukoeffizienten γxx=2,2 und eine intrinsische homogene Verbreiterung von Γ00=1,73meV.

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