Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 27: GaN III
HL 27.8: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 12:15–12:30, H15
Einfluß der Wachstumsbedingungen auf die optischen Eigenschaften von hexagonalem GaN auf GaAs — •S. Shokhovets1, R. Goldhahn1, V. Nakov1, G. Gobsch1, L. Spieß2, T.S. Cheng3 und C.T. Foxon3 — 1TU Ilmenau, Institut für Physik, PF 100565, D-98684 Ilmenau, Germany — 2TU Ilmenau, Institut für Werkstoffe, PF 100565, D-98684 Ilmenau, Germany — 3Department of Physics, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK
Hexagonale GaN-Schichten wurden mittels MBE sowohl auf (001) als auch (111)B orientierten GaAs-Substraten abgeschieden, wobei die Wachstumstemperatur im Bereich von 620 ∘C bis 720 ∘C variiert wurde. Für einige Proben erfolgte eine Nitridation der GaAs-Oberfläche vor dem Wachstum. Die Auswertung der Reflektivitätsmessungen für den Spektralbereich von 1.4 eV bis 3.8 eV zeigt, daß für alle Proben eine ausgedehnte Grenzflächenschicht zwischen der GaN-Schicht und dem GaAs-Substrat existiert und daß deren Ausdehnung von den Züchtungsbedingungen abhängt. Außerdem läßt sich aus den Reflektivitätsspektren die Rauhigkeit der Schichten bestimmen. Die Werte stimmen mit AFM-Daten überein. Weiterhin werden temperaturabhängige Photolumineszenz- und Röntgenbeugungsuntersuchungen gegenübergestellt, um den Einfluß der Wachstumsbedingungen auf die Art und den Grad der Verspannung der Schichten zu analysieren.