Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: GaN III

HL 27.9: Talk

Thursday, March 26, 1998, 12:30–12:45, H15

ERD-Messungen an Gruppe-III-Nitriden — •S. Karsch¹, O. Ambacher², A. Bergmaier¹, G. Dollinger¹, C.M. Frey¹, O. Schmelmer¹ und M. Stutzmann² — ¹TU München, Physik-Department E12, James-Franck-Straße, 85748 Garching — ²Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Die ERD-Analyse stellt eine quantitative Methode zur tiefenaufgelösten Untersuchung von Elementverteilungen in Gruppe-III-Nitridschichten dar. Damit wurde die Stöchiometrie von Al_x Ga_1−x N -Mischkristallen bestimmt und durch Vergleich mit Röntgendiffraktionsmessungen die Gültigkeit von Vegards Gesetz im System AlN-GaN mit hoher Genauigkeit bestätigt[1]. Außerdem können tiefenaufgelöste Profile von Verunreinigungen in GaN und Mischkristallen gewonnen werden. Dazu werden Messungen von Sauerstoffkonzentrationen und zum Wasserstoffgehalt von Magnesium-dotierten GaN-Schichten vor und nach dem Annealing vorgestellt.

[1] H.Angerer, D.Brunner, F.Freudenberg, O.Ambacher, M.Stutzmann, R.Hopler, T.Metzger, E.Born, G.Dollinger, A.Bergmaier, S.Karsch, H.J. Körner, Appl. Phys. Lett. 71, (11), 15. September 1997