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10:30 |
HL 27.1 |
Verspannungen von GaN-Schichten auf Saphir-Substraten — •V. KIRCHNER, R. EBEL, H. HEINKE, S. EINFELDT und D. HOMMEL
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10:45 |
HL 27.2 |
MBE-Wachstum von InGaN — •T. Böttcher, S. Einfeldt, C. Fechtmann, V. Kirchner, H. Selke, F. Bertram, J. Christen und D. Hommel
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11:00 |
HL 27.3 |
Pufferschichten für das Wachstum von GaN auf Saphir mittels Molekularstrahlepitaxie — •R. Ebel, V. Kirchner, S. Einfeldt, H. Selke, S. Figge, C. Fechtmann, M. Fehrer, H. Heinke, and D. Hommel
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11:15 |
HL 27.4 |
Raumtemperatur-Photolumineszenz von GaN Volumenkristallen — •M. Steube, K. Reimann, D. Fröhlich, U. Heckers und H. Jacobs
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11:30 |
HL 27.5 |
Wachstum von GaN auf NdGaO3 — •C. Fechtmann, V. Kirchner, M. Fehrer, A. Stockmann, H. Selke, S. Einfeldt und D. Hommel
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11:45 |
HL 27.6 |
Untersuchung von optisch gepumpten GaN/GaInN–DFB–Laser auf Saphir und SiC — •M. Neuner, R. Hofmann, J. Off, F. Scholz und H. Schweizer
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12:00 |
HL 27.7 |
Transientes Vierwellenmischen an Exzitonen in GaN — •R. Zimmermann, M.R. Hofmann, A. Euteneuer, J. Möbius, D. Weber, W.W. Rühle, E.O. Göbel, B.K. Meyer, H. Amano und A. Akasaki
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12:15 |
HL 27.8 |
Einfluß der Wachstumsbedingungen auf die optischen Eigenschaften von hexagonalem GaN auf GaAs — •S. Shokhovets, R. Goldhahn, V. Nakov, G. Gobsch, L. Spieß, T.S. Cheng und C.T. Foxon
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12:30 |
HL 27.9 |
ERD-Messungen an Gruppe-III-Nitriden — •S. Karsch, O. Ambacher, A. Bergmaier, G. Dollinger, C.M. Frey, O. Schmelmer und M. Stutzmann
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12:45 |
HL 27.10 |
Ohmsche TiAl Metall-Halbleiterkontakte auf n-GaN — •F. Vertommen, B. Schineller und K. Heime
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