Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 28: Epitaxie

HL 28.1: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 10:30–10:45, H14

Wachstum von AlAs_xSb_1−x mittels LP-MOVPE — •M. Beerbom¹, Ch. Giesen¹, X. Xu² und K. Heime¹ — ¹Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl I, RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen — ²jetzt: Simon Fraser University, Dep. of Physics, Burnaby, Canada

Auf InAs gitterangepaßte AlAs_0,16Sb_0,84-Schichten sollen als Cladding-Material in einem IR-Laser verwendet werden, dessen aktive Schicht ein InAs/InAsSb-Übergitter ist. Zur Optimierung des Wachstums von AlAs_xSb_1−x wurden 0,5 bis 1 µm dicke Schichten auf InAs mit Niederdruck-MOVPE hergestellt. Als Quellmaterialien wurden Tritertiärbutylaluminium (TTBAl), Tertiärbutylarsin (TBAs) und Triethylantimon (TESb) verwendet; als Trägergas diente Wasserstoff. TTBAl wurde verwendet, da diese Quelle im Gegensatz zu den Standardquellen Trimethylaluminium (TMAl) und Triethylaluminium (TEAl) schwächere Al-C-Bindungen aufweist. Dies sollte zu einer Reduktion des Kohlenstoffeinbaus und somit zu besseren elektrischen Schichteigenschaften führen. Strukturell wurden die Schichten mittels Vierkristallröntgendiffraktometrie charakterisiert. Zur elektrischen Charakterisierung mittels van-der-Pauw-Hallmessungen wurden die Schichten zusätzlich auf semiisolierendem GaAs abgeschieden. Es konnten Schichten mit Beweglichkeiten von bis zu µ_300K= 291 cm²/V s bei Ladungsträgerkonzentrationen von p_300K= 2,9· 10¹⁶ cm⁻³ hergestellt werden.