Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Epitaxie

HL 28.2: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 10:45–11:00, H14

LP-MOVPE von antimonhaltigen Übergittern für den mittleren Infrarotbereich — •D. Püttjer, M. Brožíček, P.H. Lim, A. Behres und K. Heime — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl I, RWTH-Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen

Mittels Niederdruck-MOVPE wurden InAsSb-InAs Übergitter als aktive Schicht für IR-Dioden hergestellt. Durch Veränderung des Antimongehalts kann die Wellenlänge des emittierten Lichts zwischen 3 µm und 5 µm variiert werden. Übergitter mit zehn Perioden InAsSb-InAs wurden bei 570^∘C und 20 hPa mit Trimethylindium, Trimethylgallium, Triethylantimon und Arsin hergestellt.

Die Schichten wurden mittels Röntgendiffraktometrie und Photolumineszenz (PL) charakterisiert. Es konnten Übergitter mit PL-Halbwertsbreiten von 6 meV bei 14 K abgeschieden werden.

Strukturen mit einem Antimongehalt von bis zu 5,7% konnten durch Optimierung der Wachstumsrate und durch Kompensation der druckverspannten InAsSb-Töpfe durch zugverspannte InGaAs-Barrieren reproduzierbar mit guten optischen und strukturellen Eigenschaften hergestellt werden.