Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Epitaxie

HL 28.5: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:30–11:45, H14

Optimierung des MBE-Wachstums auf ZnSe Substraten — •H. Wenisch¹, M. Fehrer¹, K. Leonardi¹, V. Großmann¹, H. Heinke¹, K. Ohkawa¹, D. Hommel¹, U. Rinas², M. Prokesch² und H. Hartmann² — ¹Institut für Festkörperphysik, Bereich Halbleiterepitaxie, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen — ²Institut für Kristallzüchtung, Rudower Chaussee 6, 12489 Berlin

Für ZnSe-haltige Schichten wird üblicherweise GaAs als Substrat verwendet. Mit ZnSe Substraten sind aber mehrere Vorteile verbunden: Man beobachtet keine thermische Verspannung durch unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten von Schicht und Substrat und das II-VI/III-V Interface wird vermieden — sonst ein Ausgangspunkt für Stapelfehler. Ferner sind sie fast im gesamten sichtbaren Spektralbereich transparent.

Die Substratoberflächen und der Wachstumsstart wurde in situ mittels Photoelektronenspektroskopie (XPS) und Elektronenbeugung (RHEED) untersucht. Die Beseitigung von Sauerstoff erweist sich aber als schwierig. Die Schichtqualität wurde mittels Röntgendiffraktometrie und Photolumineszenz beurteilt. Microtwins werden gelegentlich beobachtet.Weiterhin geben temperaturabhängige van-der-Pauw Messungen an niedrigdotiertem ZnSe:Cl Aufschluß über die Defektdichte im Vergleich zum Wachstum auf GaAs. Für quaternäre MgZnSSe Schichten wurde in Laserstrukturen eine Gitterfehlanpassung von < 5× 10⁻³ erreicht.

Ferner wird der Einfluß von Indium-freier Montage und Wasserstoff-Plasma-Reinigung der Substrate diskutiert.