Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Epitaxie

HL 28.6: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:45–12:00, H14

LP-MOVPE von InSb auf GaAs- und InSb-Substraten mit
TDMASb — •M. Philippens, Ch. Giesen, M. Beerbom und K. Heime — Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl I, RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen

Zum Testen der Eignung der neuen Antimonquelle Trisdimethylaminoantimon (TDMASb) für den MOVPE-Prozeß wurden Wachstumsuntersuchungen sowohl auf GaAs- als auch auf InSb-Substraten durchgeführt. TDMASb besitzt eine wesentlich geringere Zerlegungstemperatur als die Standardquellen Trimethyl- und Triethylantimon und ist zudem frei von Metall-Kohlenstoff-Bindungen, was bei niedrigen Wachstumstemperaturen zu verbesserten Schichteigenschaften führen sollte. Mit Hilfe eines zusätzlichen InSb-Tieftemperaturpuffers konnte die Halbwertsbreite der Rocking-Kurve einer 1,5 µm dicken InSb-Schicht von 1700” auf 511” reduziert werden. Für eine 4 µm dicke Schicht wurde mit optimiertem V/III-Verhältnis ein Wert von 126” beobachtet. Die Raumtemperaturbeweglichkeit dieser Schicht lag bei µ_300K=50400 cm²/V s (n_300K=2 · 10¹⁶ cm⁻³). Beim Wachstum auf InSb-Substraten hat sich gezeigt, daß die Oberflächenmorphologie sehr stark vom V/III-Verhältnis abhängt. Bei der Variation des V/III-Verhältnisses von 0,45 auf 0,5 ist der Übergang von typisch indiumreichen (In-Tropfen) zu typisch antimonreichen (Sb-Kristalle) Oberflächen zu beobachten.