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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Epitaxie

Donnerstag, 26. März 1998, 10:30–13:00, H14

	10:30	HL 28.1	Wachstum von AlAsxSb1−x mittels LP-MOVPE — •M. Beerbom, Ch. Giesen, X. Xu und K. Heime
	10:45	HL 28.2	LP-MOVPE von antimonhaltigen Übergittern für den mittleren Infrarotbereich — •D. Püttjer, M. Brožíček, P.H. Lim, A. Behres und K. Heime
	11:00	HL 28.3	Theorie der Struktur und Reaktivität von Stufen auf GaAs(001) — •Peter Kratzer und Matthias Scheffler
	11:15	HL 28.4	Molekularstrahlepitaxie (MBE) atomar glatter Aluminiumnitridfilme auf Si(111) — •H.P.D. Schenk, U. Kaiser, A. Fissel, J. Kräußlich, H. Hobert und W. Richter
	11:30	HL 28.5	Optimierung des MBE-Wachstums auf ZnSe Substraten — •H. Wenisch, M. Fehrer, K. Leonardi, V. Großmann, H. Heinke, K. Ohkawa, D. Hommel, U. Rinas, M. Prokesch und H. Hartmann
	11:45	HL 28.6	LP-MOVPE von InSb auf GaAs- und InSb-Substraten mit TDMASb — •M. Philippens, Ch. Giesen, M. Beerbom und K. Heime
	12:00	HL 28.7	Modellbildung zur Submonolagen-Epitaxie von Verbindungshalbleitern — •Ch. Heyn, T. Franke und R. Anton
	12:15	HL 28.8	REDUCTION OF THERMAL BUDGET FOR Si/SiGe EPITAXY FOR CMOS INTEGRATION OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS — •Dirk Wolansky, K. Blum, and B. Tillack
	12:30	HL 28.9	Atomic Contro of Doping during SiGe Epitaxy — •Bernd Tillack
	12:45	HL 28.10	Diffusion von Adatomen auf der As–terminierten Si(111) Oberfläche — •Kurt Schroeder and Stefan Blügel