Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 29: Transporteigenschaften

HL 29.2: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 10:45–11:00, H17

Gespeicherte Photoleitfähigkeit in Halbleiter mit grosser Bandlücke — •D.E. Theodorou — Universität Athen

Es ist schon bekannt, dass bei vielen Halbleiterstrukturen der Effekt der gespeicherten Photoleitfähigkeit auftritt. Nach einer Belichtung bei tiefen Temperaturen bleibt die Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit auf lange Zeit erhalten. Eine raümliche Trennung der photoerzeugten Elektron-Loch Paaren durch Potentialbarrieren ist die theoretische Basis des Effektes. Halbleiter mit grosser Bandlücke können in geeigneter Strukturen höhere Potentialbarrieren aufweisen und folglich kann man gespeicherte Photoleitfähigkeit auch bei höheren Temperaturen erwarten. Tatsächlich zeigen Experimente bei GaP Proben gespeicherte Photoleitung auch bei Zimmer Temperatur. Die Photoleitfähigkeit ist eine Funktion der kumulativen Photonendosis, wie es auch bei tiefen Temperaturen geschieht. Ein Photonendosissensor, der bei Zimmertemperatur funktioniert, kann jetzt gebaut werden.