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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Transporteigenschaften

HL 29.3: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:00–11:15, H17

Transportuntersuchungen an Resontanten Tunneldioden im Einelektronen-Bereich — •K. M. Indlekofer, M. Griebel, A. F"orster, and H. L"uth — Institut f"ur Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52425 J"ulich

Im vorliegenden Beitrag stellen wir Ergebnisse zum elektronischen Transport in Resonanten Tunneldioden im Einelektronen-Bereich f"ur den station"aren Fall vor.[1] Der Aufbau der experimentell untersuchten Struktur entspricht einer Resonanten Tunneldiode mit lateralen Dimensionen unterhalb 1µ m. Erzielt wurden diese Abmessungen mit Hilfe eines allseitig umschließenden Schottky-Gates, welches eine variable Einschn"urung senkrecht zur Transportrichtung erm"oglicht. Zudem wurde parallel zum Stromfluß ein ver"anderbares "außeres Magnetfeld angelegt. Theoretische Untersuchungen [2] zeigen dabei, daß Strom-Spannungskennlinien wichtige Eigenschaften des untersuchten Systems direkt zug"anglich machen. Dazu z"ahlen insbesondere Aussagen "uber die St"arke der Kopplung zwischen den Barrieren und die elektronische Struktur im Quantentopf. Hierbei l"aßt sich die Abh"angigkeit der Einteilchen-Niveaus von der Form des lateralen Potentials und vom "außeren Magnetfeld nutzen, um einen Vergleich zwischen Modellrechnungen zum vorliegenden Mehrelektronen-Problem und der experimentell bestimmten Kennlinie vorzunehmen.

[1] M. Griebel, K. M. Indlekofer, to be published (1997)

[2] K. M. Indlekofer, J. Lange, A. F"orster, and H. L"uth, Phys. Rev. B 53, 7392 (1996)