Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Transporteigenschaften

HL 29.5: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 11:30–11:45, H17

Herstellung lateraler Tunneldioden durch laserinduziertes Dotieren — •M. Herbst, P. Baumgartner, G. Abstreiter und G. Böhm — Walter Schottky Institut, Techn. Universität München, D-85748 Garching

Durch laserinduziertes Dotieren mit einem fokussierten Laserstrahl (FLB) können beliebige laterale n-p-dotierte Strukturen erzeugt werden. Über nichtlineare Effekte während der Diffusion des Dotierstoffes Zink, der an der Oberfläche bereitgestellt wird, können Strukturgrößen erreicht werden, die unterhalb der zu erwartenden Beugungsbegrenzung des verwendeten optischen Systems liegen.

Mit dieser Methode konnte eine laterale Esaki-Tunneldiode auf einer n-modulationsdotierten InGaAs Quantum Well Struktur hergestellt werden. Der Tunnelübergang befindet sich zwischen einem 2D Elektronen- und einem 2D Löchergas. Die Strom-Spannungskennlinie zeigt bei Raumtemperatur einen ausgeprägten negativ-differentiellen Widerstand mit einem Peak-to-Valley-Verhältnis von 2.9. Die planare Struktur der Tunneldioden ermöglicht das Aufbringen einer Top-Gate-Elektrode, mit der die Position des Esaki-Peaks gesteuert werden kann.