Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Transporteigenschaften

HL 29.6: Talk

Thursday, March 26, 1998, 11:45–12:00, H17

Wie schnell sind verspannte Si/SiGe p-MOSFET’s? — •R. Oberhuber und P. Vogl — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Wir haben den Löchertransport in verspannten Si p-Typ Metall-Oxid-Feldeffekt-Transistoren auf SiGe Substraten mittels selbstkonsistenter Lösung der Boltzmanngleichung im Rahmen eines Monte-Carlo-Verfahren untersucht. Die elektronische Struktur wurde mittels einer 6-Band k·p-Theorie und der Lösung der eindimensionalen Schrödinger- und Poissongleichung berechnet. Alle Streuraten wurden unter Berücksichtigung der Quantisierung der Ladungsträger berechnet. Die theoretische Niederfeldbeweglichkeit stimmt für unverspannte Si-p-Kanäle hervorragend mit experimentellen Daten überein. Die verspannungsinduzierte Bandaufspaltung und die Quantisierung der Zustände im Inversionskanal führen zu einer starken Zunahme der Löcher-Beweglichkeit ab einem Ge-Anteil des Substrats von 30 %. Unsere Rechnungen zeigen, daß die Beweglichkeit in diesem Fall um einen Faktor 2.3 größer ist als in konventionellen, unverspannten Si-p-MOSFET’s.