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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Poster I
Montag, 23. März 1998, 10:30–19:00, A
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10:30 | HL 2.1 | Untersuchung der Potentialverteilung in Si-dotiertem AlGaAs im Bereich des quantisierten Hallwiderstandes mit SET-Elektrometern — •J. Ebbecke, T. Weimann, M. Blöcker, H. Scherer, H. Wolf und F.-J. Ahlers |
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10:30 | HL 2.2 | Vielteilcheneffekte in der Magnetisierung eines zweidimensionalen Elektronensystems im Quanten Limes — •T. Hengstmann, I. Meinel, D. Grundler, S. Bargst"adt-Franke, and D. Heitmann |
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10:30 | HL 2.3 |
Der Metall-Isolator-"Ubergang im Quanten-Hall-Effekt: Magnetotransport-Experimente in Corbinogeometrie — •F. Hohls, R.J. Haug, and K.H. Ploog |
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10:30 | HL 2.4 | Magnetotransport im parallelen Feld an überwachsenen GaAs/ AlGaAs-Heterostrukturen — •A. Nauen, H.W. Schumacher, R.J. Haug, M. Dilger und K. Eberl |
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10:30 | HL 2.5 | Shubnikov-de Haas Oszillationen von Ionenstrahl-geschriebenen In-Plane-Gates auf Hallbarstrukturen — •C. Heidtkamp, S. Gargosch und A.D. Wieck |
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10:30 | HL 2.6 | Coulomb-Wechselwirkung und dynamisches Skalenverhalten im ganzzahligen Quanten-Hall-Effekt — •M. Backhaus and B. Huckestein |
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10:30 | HL 2.7 | Numerische Simulation des Quanten-Halleffektes — •F. Gagel and K. Maschke |
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10:30 | HL 2.8 |
HÖCHSTFREQUENTE INTERDIGITALWANDLER AUF GaAs FÜR DYNAMISCHE POTENTIALÜBERGITTER ZUR UNTERSUCHUNG VON NANOSTRUKTUREN — •A.C.G. Haubrich, M. Streibl, C. Rocke, S Manus, A. Wixforth und J.P. Kotthaus |
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10:30 | HL 2.9 | Magnetotransport in gekrümmten 2-dimensionalen Elektronengasen: Der Quanten-Hall-Effekt in nicht-planarer Geometrie — •S. Böhm, A. Lorke, A. Wixforth, J. P. Kotthaus und L. Korte |
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10:30 | HL 2.10 | Die Grenzfläche GaN/Al2O3(0001): Eine qualitative und quantitative TEM-Studie zum Relaxationsprozeß — •S. Kaiser, H. Preis, O. Ambacher und W. Gebhardt |
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10:30 | HL 2.11 |
Atomare Struktur und elektronische Eigenschaften von AlxGa1−xN Mischkristallen — •J. Fritsch, O.F. Sankey, K.E. Schmidt und J.P. Page |
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10:30 | HL 2.12 | Bestimmung der Dielektrischen Funktion von hexagonalem GaN auf GaAs mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •J. Scheiner, S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch, T.S. Cheng und C.T. Foxon |
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10:30 | HL 2.13 | Messung der Stickstoffbelegung von nitridierten Saphirwafern mit hochauflösender ERD — •S. Karsch, O. Ambacher, A. Bergmaier, G. Dollinger, C.M. Frey, O. Schmelmer und M. Stutzmann |
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10:30 | HL 2.14 | Farbeinstellung für weißemittierende Lumineszenz-Konversions-Leuchtdioden — •C. Hielscher, J. Baur, J. Schneider, R. Sick und G. Thiele |
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10:30 | HL 2.15 | Lokale Photolumineszenz an InGaN — •S. Figge, T. Böttcher, S. Einfeldt und D. Hommel |
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10:30 | HL 2.16 | Bandkantennahe Photolumineszenz von MBE-GaN-Schichten auf Saphirsubstrat: (D0,X)- und (D0,A0)-Übergänge — •Michael Körbl, Klaus Kornitzer, Klaus Thonke, Rolf Sauer, Markus Mayer und Markus Kamp |
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10:30 | HL 2.17 | Oxidation von GaN(0001)-Oberflächen bei Zimmertemperatur — •O. Janzen, Ch. Hahn und W. Mönch |
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10:30 | HL 2.18 | Hall-Effekt-Experimente zu persistenter Photoleitung in n-leitendem GaN — •O. Kirfel, M.T. Hirsch, O. Seifert, J. Parisi, O. Ambacher und M. Stutzmann |
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10:30 | HL 2.19 | Tiefenprofilanalysen und Strukturuntersuchungen an GaN-Schichten — •J. Portmann, C. Haug und R. Brenn |
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10:30 | HL 2.20 | Korrelation optischer und elektrischer Eigenschaften von GaN — •Michael Topf, Dirk Meister, Ingo Dirnstorfer, Friedrich Kurth und Bruno K. Meyer |
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10:30 | HL 2.21 | Cathodoluminescence of cubic GaN epilayers — •C. Wang, D.J. As, B. Sch"ottker, D. Schikora, and K. Lischka |
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10:30 | HL 2.22 | Phononen in Gruppe-III-Nitrid-Mischkristallen in Wurtzit- und Zinkblendestruktur — •Hartmut Grille, Friedhelm Bechstedt, Christoph Schnittler und Jürgen Mottok |
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10:30 | HL 2.23 | Lokale Schwingungsmoden an Übergangsmetallionen in hexagonalen GaN und AlN Kristallen — •C. Göbel, C. Schrepel, U. Scherz, P. Thurian, G. Kaczmarczyk und A. Hoffmann |
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10:30 | HL 2.24 | Kristalline und elektronische Eigenschaften von GaN-Filmen, gewachsen mittels LIMBE — •Michael Gross, Gudrun Henn, Jürgen Ziegler, Helmut Schröeder, Nicolai Wieser, Manfred Klose und Fritz Phillipp |
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10:30 | HL 2.25 | Exakte Wachstumskontrolle bei MBE Wachstum von c-GaN — •B. Schöttker, J. Kühler, D. Schikora, D.J. As und K. Lischka |
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10:30 | HL 2.26 | Widerstands- und Halleffektuntersuchungen von Transmutationsdotierungen in hexagonalem n-GaN — •C. v. Nathusius, R. Vianden und K. Freitag |
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10:30 | HL 2.27 |
Herstellung und Charakterisierung von β-(Ga,In)N auf GaN/GaAs(001)-Schichtstrukturen — •T. Frey, T. Simonsmeier, U. Köhler, B. Schöttker, C. Wang, D.J. As, D. Schikora und K. Lischka |
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10:30 | HL 2.28 | Kompensationseffekte in Mg–dotiertem GaN — •U. von Gfug, L. Eckey, J. Holst, A. Hoffmann, B. Schineller, K. Heime, M. Heuken, O. Schön und R. Beccard |
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10:30 | HL 2.29 | Einfluß der Oberflächenphotospannung auf Photoemissionsmessungen an der GaN(0001) Oberfläche — •R. Weber, J. Wichert, R. Adelung, C. Halm, L. Kipp und M. Skibowski |
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10:30 | HL 2.30 | Raman–Streuung an Defekten in GaN — •A. Kaschner, H. Siegle, A. Hoffmann, C. Thomsen, B. Schöttker, D. J. As, D. Schikora, S. Einfeldt und D. Hommel |
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10:30 | HL 2.31 | Damage buildup and removal of ion implanted GaN films — •C. Liu, A. Wenzel, B. Mensching, and B. Rauschenbach |
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10:30 | HL 2.32 | Direkte Abbildung unterschiedlicher Morphologie-Kanäle in dicken GaN-Schichten mittels Kathodolumineszenz-Mikroskopie — •M. Schmidt, F. Bertram, D. Rudloff, J. Christen, F.X. Bronold, A. Hoffmann, H. Siegle und K. Hiramatsu |
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10:30 | HL 2.33 | Selbstenergiekorrigierte optische Eigenschaften von Gruppe III Nitridverbindungshalbleitern — •G.C. Rohr und M.S.K. Fuchs |
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10:30 | HL 2.34 | Einfluß der Ga-3d-Elektronen auf Störstellen in GaN — •Uwe Gerstmann und Harald Overhof |
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10:30 | HL 2.35 | Herstellung von Leuchtdioden und Wellenleiterstrukturen auf der Basis von GaN mit ECR-MBE — •Michael Reinhardt, Jürgen Müller, Ralph Werner und Alfred Forchel |
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10:30 | HL 2.36 | Photoleitfähigkeitsmessungen an heteroepitaktisch gewachsenen GaN-Schichten — •Klaus Kornitzer, Michael Körbl, Markus Mayer, Klaus Thonke, Rolf Sauer, Markus Kamp und Arthur Pelzmann |
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10:30 | HL 2.37 | Ionenstrahl-implantierte laterale Feldeffekt-Transistoren auf Standard-(100)-Silizium — •Christian Crell, Hans-Ulrich Schreiber und Andreas Dirk Wieck |
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10:30 | HL 2.38 | Skalierung von SiO2-Si3N4-SiO2-Dreifachdielektrika (ONO) für Speicherkondensatoren — •E. Sorin, H. Reisinger, S. Sotier und E. Bertagnolli |
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10:30 | HL 2.39 | Optimierte ultrahochdichte MOS-Transistor-Arrays auf Silizium-Basis mit vertikaler Isolation — •T. Haneder, E. Bertagnolli und H. von Philipsborn |
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10:30 | HL 2.40 | Untersuchung von Tunnelströmen an Feldeffekttransistoren mit Dreifachdielektrikum — •H. Bachhofer, H. Reisinger, B. Hasler, E. Bertagnolli und H. von Philipsborn |
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10:30 | HL 2.41 | Implantation integrierter IPG-FET Schaltungen durch fokussierte Ionenstrahlen — •C. Wiemann, M. Versen und A.D. Wieck |
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10:30 | HL 2.42 | QUASIMONOLITHISCHE AKUSTOELEKTRISCHE BAUELEMENTE AUF GaAs/LiNbO3 BASIS — •M. Rotter, W. Ruile, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, D. Bernklau und H. Riechert |
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10:30 | HL 2.43 | Modulated thermal profiling of a mesa structure — •J. Bolte, F. Niebisch, D. Dietzel, J. Pelzl, P. Stelmaszyk, A. Wieck, and A. Majumdar |
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10:30 | HL 2.44 | Einfluss von thermischem Stress auf die DC- und niederfrequenten Rauscheigenschaften von UHB-LED’s — •T. Lieske, J. Berntgen und K. Heime |
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10:30 | HL 2.45 | Exzitonen–Spinrelaxation in ZnSe Heterostrukturen — •J. Hoffmann, H. Kalt, W. Langbein und J. M. Hvam |
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10:30 | HL 2.46 | Optische Messungen an ZnSe/ZnMgSe-Quantentrögen unter hohen Drücken: Subbandübergänge und Deformationspotentiale — •E. Griebl, A. Stier, M. Krenzer, T. Reisinger, H. Preis und W. Gebhardt |
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10:30 | HL 2.47 | Frühstadien des Wachstums von ZnTe Epitaxieschichten auf (100)- und (111)-GaAs Substraten — •A. Wurl, A. Rosenauer, D. Gerthsen, B. Hahn und W. Gebhardt |
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10:30 | HL 2.48 | Wasserstoff Einbau und Effusion aus MOVPE-ZnSe — •B. Hahn, H. Preis, W. Gebhardt, J. Krause und U. Blieske |
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10:30 | HL 2.49 | Abbildung einzelner Dotieratome auf hexagonalen II-VI-Halbleiteroberflächen mit dem Rastertunnelmikroskop — •B. Siemens, C. Domke, Ph. Ebert und K. Urban |
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10:30 | HL 2.50 | Phononeigenschaften in CdS/ZnS Übergittern — •A. Dinger, M. Hetterich, M. Göppert, M. Grün, C. Klingshirn, B. Weise, J. Liang, V. Wagner und J. Geurts |
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10:30 | HL 2.51 | Elektroabsorption in zwei- und dreidimensionalem Zn1−xCdxSe — •T. Lilienkamp, W. Ebeling, D. Merbach, M. Behringer, P. Michler, J. Gutowski, D. Hommel und E. Schöll |
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10:30 | HL 2.52 | Vanadium in CdTe und Cd(Zn)Te — •A. Schwarz, D. M. Hofmann, F. K. Henecker, A. Hofstaetter, B. K. Meyer und S. I. Nikitin |
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10:30 | HL 2.53 | Temperatur- und Dichteabh"angigkeit der exzitonischen Eigenenergie in ZnSe — •K. Hauke, K. Wundke, U. Neukirch, J. Gutowski, G. Manzke, Q.P. Peng, and K. Henneberger |
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10:30 | HL 2.54 | Molekularstrahlepitaxie von CdS/ZnSe-Quantentrogstrukturen — •S. Petillon, A. Dinger, M. Hetterich, R. Westphäling, M. Grün und C. Klingshirn |
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10:30 | HL 2.55 | Stickstoff-Dotierung von ZnSe mit neuen MOVPE-Quellen — •U.W. Pohl , C. Möller und W. Richter |
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10:30 | HL 2.56 | Infrarotuntersuchungen gefalteter akustischer und beschränkter optischer Phononen in CdS/CdSe Übergittern — •M. Göppert, M. Hetterich, A. Dinger, C. Klingshirn und K.P. O’Donnell |
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10:30 | HL 2.57 | Selbstorganisiertes Wachstum kleiner CdSe/CdS-Inseln — •F. Funfrock, M. Grün, M. Hetterich, C. Klingshirn, P. Schunk und Th. Schimmel |
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10:30 | HL 2.58 | Kubische CdS/ZnS-Quantentrogstrukturen — •M. Grün, M. Hetterich, Ch. Märkle, W. Petri, U. Woggon, C. Klingshirn, A. Wurl, U. Fischer, A. Rosenauer, D. Gerthsen, T. Kümmell, G. Bacher und A. Forchel |
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10:30 | HL 2.59 | In situ Raman-Untersuchung von Schicht und Substrat beim MBE-Wachstum von ZnSe:N/GaAs(100) — •A. Schneider, G. Pr"osch, D. Drews, and D.R.T. Zahn |
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10:30 | HL 2.60 | Lumineszenz Quanteneffizienz von Quantentrogstrukturen — •P. Ullrich, R. Westphäling, J. Hoffmann, C. Klingshirn, H. Kalt, K. Ohkawa und D. Hommel |
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10:30 | HL 2.61 | Einbau von Seltenen Erden in II-VI-Halbleiter beim MBE-Wachstum: Optische und EXAFS-Untersuchungen von ZnTe:Sm — •D. Wruck, R. Boyn, L. Parthier und F. Henneberger |
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10:30 | HL 2.62 | Photoelektronen-Spektroskopie von Chalkopyriten und auf Zn basierenden II–VI Halbleiter–Heterostrukturen — •M. Wörz, E. Pschorr-Schoberer, R. Flierl, T. Frey, H. Preis und W. Gebhardt |
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10:30 | HL 2.63 |
Wachstum und optische Charakterisierung von ZnS/ZnSxSe1−x Qantum-Well Strukturen — •B. Buda, T. Suermann, C. Wang, S. Schwedhelm, D.J. As, D. Schikora und K Lischka |
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10:30 | HL 2.64 | Versetzungskonfiguration in CdTe-Einkristallen nach Mikrodeformation auf niedrigindizierten Oberflächen — •L. Höring und J. Schreiber |
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10:30 | HL 2.65 | Akustische und optische Phononeigenschaften von BeTe / ZnSe - Übergittern — •B. Weise, V. Wagner, J. Geurts, T. Gerhard, S. Gundel, H. Lugauer, F. Fischer, G. Landwehr, T. Walter und D. Gerthsen |
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10:30 | HL 2.66 | Optische Untersuchungen von kurzperiodigen Zn(STe)/ZnTe Übergittern und Mischkristallen (ZnSTe) — •D. Albert, B. Weise, M. Korn, C. Kraus, U. Lunz, V. Wagner, W. Faschinger, J. Geurts und G. Landwehr |
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10:30 | HL 2.67 | Bestimmung der atomaren Relaxation der SiC Polytypen 4H und 6H — •Andreas Bauer, J"urgen Kr"au"slich, Peter Kuschnerus, Konrad Goetz, Peter K"ackell, and Friedhelm Bechstedt |
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10:30 | HL 2.68 | Nitridschichten auf 6H–SiC Oberflächen — •M. Rohleder, V. van Elsbergen und W. Mönch |
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10:30 | HL 2.69 | Epitaxie verschiedener SiC-Polytypen mittels MBE — •K. Pfennighaus, A. Fissel, G. Kipshidze, B. Schröter, U. Kaiser, J. Kräußlich, M. Wendt und W. Richter |
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10:30 | HL 2.70 | Elektronische Struktur von SiC-Polytypen und -Heterostrukturen — •R. Stubner, R. Winkler und O. Pankratov |
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10:30 | HL 2.71 | Untersuchung der geometrischen und elektronischen Struktur von rekonstruierten 3C-SiC(001) Oberflächen mittels LEED und ARUPS — •M. Lübbe, K. Lindner und D.R.T. Zahn |
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10:30 | HL 2.72 | Photoemission an der Grenzfl"ache zwischen SiC und SiO2 — •B. Mattern, M. Ba"sler, G. Pensl, N. Sieber, M. Hollering, K. Janischowsky, J. Ristein, and L. Ley |
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10:30 | HL 2.73 | Bestimmung der Schichtdicke von SiC-Epitaxieschichten auf SiC-Substraten durch Reflexionsmessung im Wellenlängenbereich 250cm−1 – 4000cm−1 — •Changqing Chen, Franz Engelbrecht, Christian Peppermüller, Reinhard Helbig und Roland Rupp |
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10:30 | HL 2.74 | Stromfilamente in n-GaAs mit verschiedenen Kontaktgeometrien – Experiment und Theorie im Vergleich — •S. Beizai, J. Hirschinger, C. Lehmann, F.-J. Niedernostheide, V. Novák, W. Prettl, A. Reimann, E. Schöll und G. Schwarz |
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10:30 | HL 2.75 | Hochfeldtransport in ZnS und GaN — •N. Fitzer, M. Reigrotzki, R. Redmer, M. Dür, St. M. Goodnick und W. Schattke |
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10:30 | HL 2.76 | Elektrischer Transport in GaN: Elektronentraps und Potentialbarrieren — •M. Fehrer, S. Einfeldt, U. Birkle, T. Gollnik und D. Hommel |
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10:30 | HL 2.77 | Poröses TiO2: TOF-Untersuchungen — •Thomas Dittrich, Energui Lebedev und Josef Weidmann |
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10:30 | HL 2.78 | Transiente Photostromuntersuchungen an Poly-Phenylen-Vinylen — •Energui Lebedev, Thomas Dittrich, Wolfgang Brütting, Siegfried Karg und Vesselinka Petrova-Koch |
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10:30 | HL 2.79 | Thermoelementstrukturen auf der Basis von dotierten β-FeSi2-Schichten — •Horst Grießmann, Joachim Schumann und Armin Heinrich |
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10:30 | HL 2.80 | Einfluß Sb-induzierter Leerstellen in δ-dotierten Si(001)-Tunnel-strukturen — •S. Skaberna, J. Lindolf, U. Kunze, W. Kiunke und I. Eisele |
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10:30 | HL 2.81 | Theoretische und experimentelle Untersuchung der Transportmechanismen in δ-dotierten "Ubergittern — •H. Willenberg, O. Wolst, R. Elpelt, S. Malzer, G. D"ohler, A. F"orster, and H. L"uth |
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10:30 | HL 2.82 | Hochfrequenz-Magnetotransport-Messungen an zweidimensionalen elektronischen Systemen mit Hilfe von Mikrowellen-Koplanarleitungen — •A. Brensing, F. Rethmeier und W. Bauhofer |
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10:30 | HL 2.83 | Experimentelle und theoretische Untersuchungen des Semi-metall-Halbleiter-"Ubergangs in InAs/GaSb-Strukturen — •M. Krach, G. Theurich, B. Kn"upfer, N. Linder, H.-R. Blank, and G. H. D"ohler |
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10:30 | HL 2.84 | Einfluss inkohärenter, impulserhaltender Streuung auf mesoskopischen elektronischen Transport — •I. J. Knittel und F. Gagel |
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10:30 | HL 2.85 | "‘Vollst"andiges"’ Callaway-Modell zur Beschreibung der W"armeleitung von Isotopengemischen — •M. Asen-Palmer, E. Gmelin, and M. Cardona |
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10:30 | HL 2.86 | Direkte Beobachtung von gebundenen Andreev-Zuständen in Supraleiter-Halbleiter-Supraleiter Elementen — •G. Bastian, E.O. Göbel, J. Niemeyer, T. Weimann, M.R. Bennett und K.E. Singer |
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10:30 | HL 2.87 | Quantisierung der Leitfähigkeit in tiefgeätzten und überwachsenen Quanten-Punkt-Kontakten auf der Basis modulationsdotierter GaAlAs/GaAs-Heterostrukturen — •Frank Beuscher, Manfred Michel, Alfred Forchel, A. Kristensen, C.B. Sorensen, P.E. Lindelof, J. Bo Jensen, J. Nygard und M. Zaffalon |
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10:30 | HL 2.88 | Structural properties of Zn2−2x(CuIn)xS2 solid solution thin films obtained by EXAFS — •M. Fieber-Erdmann, E. Holub-Krappe, H. Rossner, V. Eyert, I. Luck, R. Scheer, and H.-J. Lewerenz |
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10:30 | HL 2.89 | Strukturuntersuchung an hochgeordneten epitaktischen CuInS2-Schichten — •R. Hunger, D.S. Su, R. Scheer, M. Giersig, A. Darhuber, G. Bauer, H.J. Lewerenz und A. Krost |
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10:30 | HL 2.90 | Dielektrische Eigenschaften von BeZnSe im Frequenzbereich vom FIR bis zum VUV — •M. Feige, B. Weise, J.-J. Liang, U. Zehnder, T. Gerhard, H. Lugauer, F. Fischer, M. Keim, R. Kruse, K. Wilmers, T. Wethkamp, N. Esser, V. Wagner und J. Geurts |
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10:30 | HL 2.91 | Untersuchungen an Si-Kavitäten mit dem PAC-Sondenkern 111In — •J. Bartels, C. Noll und R. Vianden |
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10:30 | HL 2.92 | Nanostrukturierung von Si/SiGe-Heterostrukturen mittels anisotroper und materialselektiver naßchemischer Ätzen — •U. Wieser, B. Klehn, D. Iamundo und U. Kunze |
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10:30 | HL 2.93 | Photolumineszenz-Charakterisierung von selbstorganisierten InAs-Quantenpunkten — •L. Gottwaldt, F.-J. Ahlers und K. Pierz |
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10:30 | HL 2.94 | Magnetfeldabhängige Grundzustandsrechnungen für Quantenpunkte mithilfe der Strom-Dichte-Funktional-Theorie — •Oliver Steffens und Ulrich Rössler |
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10:30 | HL 2.95 | Bestimmung der Größenverteilung von CuCl Nanokristallen in NaCl mit Absorptionsspektroskopie — •M. Haselhoff, K. Reimann, and H.-J. Weber |
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10:30 | HL 2.96 | PL-SNOM an InGaAs/GaAs Quantendots — •F. Poser, D. Pahlke, C. Gremzow, F. Heinrichsdorff und W. Richter |
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10:30 | HL 2.97 | Rauschuntersuchungen an Halbleiter-SET-Transistoren — •A. von Campenhausen, K. Pierz, T. Weimann, M. Blöcker und F.-J. Ahlers |
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10:30 | HL 2.98 |
Herstellung schmaler GaAs–Quantendrähte mit anodischer Oxidation und naßchemischem Ätzen — •T. Otterburg, H. Eggers, T. O. Wiegard, F. Rademacher, C. Schüller, S. Bargstädt–Franke, Ch. Heyn und D. Heitmann |
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10:30 | HL 2.99 | Raman-Spektroskopie an Magnetoplasmonen in Quantumdots — •G. Biese, C. Schüller, E. Ulrichs, L. Rolf, C. Steinebach, D. Heitmann und K. Eberl |
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10:30 | HL 2.100 | Drei-dimensional quantisierte Exzitonen in ultradünnen CdSe Abscheidungen in ZnSSe Matrix — •R. Engelhardt, V. Türck, U.W. Pohl, D. Bimberg und P. Veit |
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10:30 | HL 2.101 | MBE Wachstum und Charakterisierung von selbstordnenden InAs Quantenpunkten auf GaAs — •C. Bock, M. Versen, K. Schmidt und U. Kunze |
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10:30 | HL 2.102 | Charakterisierung der Tunnelbarrieren in direkt epitaktisch gewachsenen Quantendots — •J. Regul, P. König, R.J. Haug, M. Dilger, and K. Eberl |
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10:30 | HL 2.103 | Einzelelektronentunneln durch einen Doppelquantenfilm-SET — •P. Hullmann, R. J. Haug, M. Dilger und K. Eberl |
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10:30 | HL 2.104 | FIR–Absorption von Quantendrähten mit asymmetrischem Einschlußpotential — •C. Steinebach und D. Heitmann |
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10:30 | HL 2.105 | Eindimensionale Magnetoplasmonen in Quantendrähten — •M. Bähr, E. Ulrichs, G. Biese, C. Steinebach, C. Schüller, D. Heitmann und K. Eberl |
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10:30 | HL 2.106 | Ladungsträgerdynamik in selbstordnenden InAs Quantenpunkten — •R.J. Luyken, A. Lorke, J.P. Kotthaus, D. Leonard, G. Medeiros-Ribeiro und P. Petroff |
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10:30 | HL 2.107 | Electron-phonon interaction in a polar nanocrystal embedded into a polar matrix — •V. M. Fomin, S. N. Klimin, E. P. Pokatilov, and J. T. Devreese |
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10:30 | HL 2.108 | Lumineszenz und optische Verstärkung gestapelter, selbstordnender InP Quantenpunkte — •M. Zundel, T. Riedl, E. Fehrenbacher, A. Hangleiter und K. Eberl |
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10:30 | HL 2.109 | Vergleichende rastersondenmikroskopische Untersuchungen an III-V Halbleiternanostrukturen — •S. Dressel, H. Gräfe, J. Christen, M. Kappelt, D. Bimberg und H. Nakashima |
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10:30 | HL 2.110 | Realstrukturuntersuchungen an InAs/InGaAs/GaAs Quantenpunktsystemen — •A. Krost, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg, J. Bläsing, A.O. Kosogov und P. Werner |
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10:30 | HL 2.111 | Mikro-Raman-Untersuchungen an II-VI-Halbleiternanostrukturen — •B. Schreder, H. Schwoerer und W. Kiefer |
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10:30 | HL 2.112 | Herstellung und optische Charakterisierung von AlSb/GaSb Quantendrahtstrukturen — •Ralph Werner, T. Wang, J. Koeth und A. Forchel |
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10:30 | HL 2.113 | Transport in undotierten GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen mit feinstruktuierten Gates — •Jens Herfort, David G. Austing und Yoshiro Hirayama |
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10:30 | HL 2.114 | Oxidschicht-dominierte Stromoszillationen am Si-HF-Kontakt — •Reinhard Prange, Juergen Carstensen, George Popkirov und Helmut Foell |
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10:30 | HL 2.115 | Die Dynamik des Hochtemperaturphasen"ubergangs der Ge(111)–Oberfl"ache — •Stefan Vollmer, Alexei Glebov, and J. Peter Toennies |
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10:30 | HL 2.116 | Poröses TiO2: Photoleitung und Photolumineszenz bei hohen Temperaturen in O2- und H2O-haltigen Atmosphären — •Elizaveta Konstantinova, Thomas Dittrich und Josef Weidmann |
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10:30 | HL 2.117 | Photospannungs- und Photolumineszenz- in−situ -Untersuchungen am c-Si/Elektrolyt System — •Thomas Dittrich, Viktor Timoshenko und Jörg Rappich |
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10:30 | HL 2.118 | LEED-IV Untersuchungen an Polytypen und Rekonstruktionen des SiC — •M. Kreuzberg, B. Schröter und Wo. Richter |
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10:30 | HL 2.119 | Elektronische Struktur der 3C–SiC(111)–(3×3) Rekonstruktion — •H. Hüsken, B. Schröter und Wo. Richter |
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10:30 | HL 2.120 | Rastersensormikroskopische Untersuchung von InAs(100) Oberflächen nach Oxiddesorption — •W. Naumann, M. Schäfer, M. Hannß, A. Dutschke, K. Oehlstrom, T. Finnberg, T. Franke und R. Anton |
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10:30 | HL 2.121 | Hochauflösende Transmissionselektronenmikroskopie an UV-Ozon oxidierten InAs(100) Oberflächen — •A. Dutschke, M. Schäfer, A. Kornowski, M. Hannß, W. Naumann und R. Anton |
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10:30 | HL 2.122 | XPS/UPS-Untersuchungen zur Präparation oxidfreier InAs(100)-Oberflächen — •T. Finnberg, M. Schäfer, K. Oehlstrom, T. Franke, W. Naumann, M. Hannss, A. Dutschke und R. Anton |
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10:30 | HL 2.123 | Strukturelle Entwicklung MBE gewachsener GaAs(001)-Oberflächen während Wachstumsunterbrechungen — •T. Franke, P. Kreutzer, T. Zacher, W. Naumann, C. Heyn und R. Anton |
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10:30 | HL 2.124 | Untersuchungen zur Anisotropie des MBE-Wachstums von [001]-GaAs — •K. Oehlstrom, T. Franke, M. Hannss, W. Naumann und R. Anton |
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10:30 | HL 2.125 | Infrarotspektroskopie der thermisch angeregten, strukturellen Ver"anderungen von Tunnelisolatoren in Al/SiOx/p-Si-Dioden — •A. Bierhals, A. G. Aberle, and R. Hezel |
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10:30 | HL 2.126 | Photolumineszenzmessungen an Sulfid-passivierten Oberflächen von III-V Halbleitern — •M. Friedrich, N.M. Binh und D.R.T. Zahn |
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10:30 | HL 2.127 | Spektralellipsometrischer Vergleich der natürlichen Oxide von Si und β-FeSi2 — •M. Rebien, H. Angermann, P. Stauß und W. Henrion |
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10:30 | HL 2.128 | Elektronische und optische Eigenschaften von GaAs(100)-passivierten Oberflächen — •A. Ivankov und W. Bauhofer |
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10:30 | HL 2.129 | Charakterisierung der Grenzfl"achen von oxidierten CoSi2-Schichten auf Si mittles R"ontgenreflektivi"at — •I.D. Kaendler, J.-P. Schlomka, M. Tolan, J. Stettner, W. Press, L. Kappius, and S. Mantl |
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10:30 | HL 2.130 | Mikrorauhigkeitsanalyse technologischer Si-Oberflächen — •G. Schnasse, M. Langer und M. Henzler |
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10:30 | HL 2.131 | Influence of the misorientation on the interface structure of wafer–bonded GaAs — •A. Klimashov, A. Trampert, K.-J. Friedland, and K. H. Ploog |
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10:30 | HL 2.132 | Beitrag von Oberflächen zur linear-optischen Antwort — •U. Rossow, D.E. Aspnes und L. Mantese |
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10:30 | HL 2.133 | Elektronische Struktur der Si(111):Sn-(√3×√3) R30o Oberfläche — •R. Spettmann, K. Schroeder, S. Blügel und P. Entel |
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10:30 | HL 2.134 | Interface Defect Density in AlN-on-Si Heterostructures Determined from Capacitance Transients — •Reinhard Schwarz, R. Rocha, J. J. Sun, and P. Freitas |
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10:30 | HL 2.135 | Charakterisierung eines Kleinsignal Junction Field Effect-Transistors aus 6H-SiC — •U. Schmid, S.T. Sheppard, V. Lauer und W. Wonkrak |
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10:30 | HL 2.136 | Modellierung des Einflusses von Implantationsschäden auf die Diffusion von Dotieratomen in Si — •H. Rücker, D. Bolze, B. Heinemann, D. Krüger, R. Kurps, G. Lippert, and H. J. Osten |
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10:30 | HL 2.137 | Aktivierung von fokussiert implantiertem Gallium in Silizium durch schnelles thermisches Ausheilen — •Jean-Bernard Bukow, Christian Crell und Andreas Dirk Wieck |
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10:30 | HL 2.138 | Niederenergetische Wasserstoffpassivierung von Verbindungshalbleitern — •Michael Röhricht, Karsten Otte, Gerd Lippold, Axel Schindler und Frieder Bigl |
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10:30 | HL 2.139 | Magnetotransportmessungen an magnetisch modulierten Systemen — •J. Raabe, D. Weiss und V. Umanski |
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10:30 | HL 2.140 | InAs Self-Assembled Quantum Dots as Controlled Scattering Centers near a 2DEG — •E. Ribeiro, E. Müller, T. Heinzel, K. Ensslin, G. Medeiros-Ribeiro, and P. M. Petroff |
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10:30 | HL 2.141 | Defekt-induzierte Degradation in Czochralski-Silizium — •S. Rein, S.W. Glunz, J. Knobloch und W. Warta |
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10:30 | HL 2.142 | Erzeugung von Millimeter-Wellen mit einem InGaAs/InAlAs-Übergitter — •S. Brandl’, R. Scheuerer’, E. Schomburg’, J. Grenzer’, K. Hofbeck’, K.F. Renk’, D.G. Pavel’ev”, Yu. Koschurinov”, A.A. Ignatov”, B. Melzer”’, V. Ustinov”’, S. Ivanov”’ und P.S. Kop’ev”’ |