Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.10: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:45–13:00, H16

XPS-Untersuchungen der vergrabenen SiO₂/SiC Grenzschicht — •Th. Eickhoff¹, W. Drube², T.M. Grehk², G. Materlik² und C. Harris³ — ¹II. Inst. f. Experimentalphysik, Universität Hamburg — ²HASYLAB/DESY, 22603 Hamburg — ³Industrial Microelectronics Center, Kista, Schweden

Siliziumkarbid eignet sich wegen seiner hohen thermischen Stabilität und der großen Bandlücke zur Herstellung von MOSFETs und Thyristoren für den Hochleistungs- und Hochtemperaturbereich. Die Qualität der für integrierte Schaltkreise benötigten Isolation ist dabei von hoher Bedeutung. Wir haben den ca. 40 Å tief vergrabenen Grenzschichtbereich des SiO₂/SiC Systems mit hochenergetischer Photoemission untersucht. Die Tiefenempfindlichkeit wird durch Variation des Emissionswinkels der Elektronen und der Anregungsenergie der Synchrotronstrahlung, sowie durch streifenden Einfall nahe des Grenzwinkels der Totalreflexion vorgegeben. Eine zusätzliche Komponente der Si 1s,2p Photolinien kann elektronischen Zuständen in der Grenzschicht zugeordnet werden, für die eine mittlere Rauhigkeit von etwa 6 Å aus Reflexionsmessungen bestimmt wurde.