Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.2: Talk

Monday, March 23, 1998, 10:45–11:00, H16

Anisotroper Stromtransport in 4H/6H-SiC-Bauelementen — •M. Lades und G. Wachutka — Lehrstuhl für Technische Elektrophysik, Technische Universität München, Arcisstr. 21, D-80290 München

Aufgrund seiner Materialeigenschaften besitzt SiC ein vielversprechendes Potential für Anwendungen im Bereich der Hochtemperatur-, Hoch- leistungs- und Hochfrequenzelektronik [1]. Die für eine potentielle Anwendung am weitesten entwickelten hexagonalen 4H- und 6H-SiC Polytypen weisen aufgrund ihrer Kristallstruktur eine verschieden stark ausgeprägte Anisotropie ihrer Materialeigenschaften auf [2,3]. Der sich hieraus ergebende Einfluß auf die elektrischen Transporteigenschaften komplexer, dreidimensionaler Bauelementstrukturen (JFET, UMOS, DIMOS) wurde anhand eines für die numerische Simulation geeigneten physikalischen Modells untersucht. Hierzu sind die isothermen Drift-Diffusions-Stromgleichungen für Elektronen und Löcher sowie die Poisson-Gleichung zu Tensorgleichungen zu erweitern. Das Bauelementverhalten wird je nach Lage der steuernden Raumladungszonen und der Orientierung der Hauptstromflußrichtung im Bauelement unterschiedlich stark beeinflußt. Es ergibt sich ein zum Teil erheblicher Einfluß auf die wesentlichen Charakteristiken des Bauelements.

[1] J.B. Casady, and R.W. Johnson, Solid State Electronics 39,
1409 (1996)

[2] M. Schadt, G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 65, 3120 (1994)

[3] L. Patrick, W.J. Choyke, Phys. Rev. B 2, 2255 (1970)