Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.6: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 11:45–12:00, H16

Simulation des elektrischen Verhaltens von SiC-MESFETs — •M. Roschke¹, F. Schwierz¹, G. Paasch^1,2, H. Mau³, and D. Schipanski¹ — ¹Institut f"ur Festk"orperelektronik, TU Ilmenau, PF 100565, D-98684 Ilmenau — ²Institut f"ur Festk"orper- und Werkstofforschung Dresden, D-01171 Dresden — ³Silvaco International, Santa Clara, CA

In den kommenden Jahren wird der Einsatz kommerzieller SiC-Bauelemente erwartet. Derzeit arbeitet man unter anderem an SiC-MESFETs als Leistungsverst"arker f"ur den Frequenzbereich bis 10GHz. In diesem Beitrag werden Ergebnisse der Simulation des elektrischen Verhaltens von SiC-MESFETs pr"asentiert. Die Eignung der drei wichtigsten SiC-Polytypen 3C, 4H und 6H wird anhand der Parameter Steilheit, erreichbare Ausgangsleistung und Transitfrequenz untersucht. Die Ergebnisse weisen 4H als den geeignetsten Polytyp aus. Da SiC-Substrate nach wie vor sehr teuer sind, wird die Eignung von Si als Substratmaterial f"ur SiC-MESFETs diskutiert. Um die schlechtere W"armeleitf"ahigkeit von Si zu ber"ucksichtigen, wird die Eigenerw"armung von SiC-MESFETs auf SiC- und Si-Substraten simuliert. Die Abh"angigkeit der Eigenerw"armung vom Gleichstromarbeitspunkt und ihr Einflu"s auf die Transistoreigenschaften werden diskutiert.