Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.7: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:00–12:15, H16

Herstellung von SiC-Schichten durch C₆₀-Karbonisierung von Silizium mit und ohne UV-Bestrahlung — •S. Schreiber, K. Volz, M. Zeitler, B. Rauschenbach und B. Stritzker — Universität Augsburg

Bei der Verdampfung von Fullerenen(C₆₀) auf geheizte Silizium-Substrate bildet sich ab einer Substrattemperatur von 800^o C Siliziumcarbid. Der Einfluß verschiedener Targettemperaturen von 800 bis 950^o C und von UV-Bestrahlung wurde untersucht. Dazu wurde die Zusammensetzung der Schichten mit RBS (Rutherford-Backscattering Spectrometry) bestimmt. Es zeigt sich, daß stöchiometrische SiC-Schichten hergestellt werden können, die in Abhängigkeit von der Karbonisierungszeit bis zu 0.5 µm dick sind. Die Struktur der SiC-Schichten und die Orientierungsbeziehung der resultierenden SiC-Phasen zum (100) Silizium-Substrat wurden mittels Polfigur-Röntgenuntersuchungen bestimmt. Querschnittstransmissionselektronenmikroskopische Untersuchungen wurden zur Aufklärung der Mikrostruktur der SiC-Filme eingesetzt. Es zeigt sich, daß unter den verwendeten Karbonisierungsbedingungen die hauptsächlich vorliegende Phase hexagonales 6H-SiC ist. Die dendritisch wachsenden SiC Kristallite sind um einige Grad gegen die (100) Oberfläche des Substrats geneigt. Die Ergebnisse werden in Abhängigkeit von Karbonisierungstemperatur und UV-Einfluß dargestellt.