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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.8: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:15–12:30, H16

Einbau von Bor in SiC kontrolliert durch Coimplantation von C/B bzw.Si/B — •Thomas Frank¹, Thomas Troffer¹, Hisayoshi Itoh², Gerhard Pensl¹ und Adolf Schöner³ — ¹Lehrstuhl f. Angewandte Physik, Staudtstr. 7/A3, 91058 Erlangen — ²permanente Anschrift: Japan Atomic Energy Research Institute, Gunma, Japan — ³Industial Microelectronics Center, Kista, Schweden

In SiC existieren zwei Bor (B)-korrelierte Störstellen: Ein B-Akzeptor mit Energieniveau E_B = E_V + 300 meV und ein energetisch tiefer Donator – das sog. D-Zentrum – mit einer energetischen Lage bei E_D = E_V + (550 bis 750) meV. Der B-Akzeptor bzw. das D-Zentrum werden mit Hall-Effekt bzw. mit DLTS nachgewiesen. Ihre Grundniveaus sind in den untersuchten Polytypen (3C, 4H, 6H) weitgehend identisch. Das D-Zentrum führt zu einer Erhöhung der Kompensation und zu einer Erniedrigung der Löcherbeweglichkeit. Seine Bildung sollte daher unterdrückt werden. Coimplantation von Si/B erweist sich als ungeeignet, dieser Prozeß reduziert die elektrische Aktivität des B-Akzeptors und beeinflußt die Bildung des D-Zentrums nahezu nicht. Dagegen wird durch Coimplantation von C/B mit anschließendem Ausheilprozeß einerseits die elektrische Aktivität des B-Akzeptors erhöht und die Bildung des D-Zentrums unterdrückt.