Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: SiC

HL 3.9: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 12:30–12:45, H16

Photoelektronenspektroskopie an der (3x3) Rekonstruktion von hexagonalen SiC-Oberflächen — •Markus Hollering¹, Bernd Mattern¹, Florian Maier¹, Lothar Ley¹, Anton Stampfl², John D. Riley² und Robert C.G. Leckey² — ¹Institut für Technische Physik II, Universität Erlangen — ²La Trobe University, Bundoora, Australien

Auf den hexagonalen Siliziumkarbid-Oberflächen 6H-SiC(0001) und 3C-SiC(111) läßt sich durch geeignete Präparationsmethoden eine (3x3) Rekonstruktion erzeugen. Im Fall des kubischen SiC handelt es sich hier um eine Epischicht, die auf ein Si(111)-Substrat aufgewachsen wurde [1]. Die (3x3) Rekonstruktion stellt sich nach Hochheizen auf ca. 1000^∘C ein. Das kohlenstoffterminierte 6H-SiC Substrat wurde kommerziell hergestellt [2]. Hier entsteht die siliziumreiche (3x3) Rekonstruktion nach Bedampfen der Oberfläche mit Silizium und anschließendem Heizen auf ca. 1200^∘C. Es werden Photoelektronenspektren der Rumpfniveaus von Silizium und Kohlenstoff der so präparierten Proben untersucht, um Rückschlüsse auf die stöchiometrische Zusammensetzung der Oberfläche zu gewinnen. Weiterhin dienen Messungen, die mit Hilfe von winkelaufgelöster Photoelektronen-Spektroskopie durchgeführt wurden, dazu, die Oberflächenbandstruktur aufzuklären.

[1] N.Nordell, IMC, Schweden

[2] Cree Research Inc., Durham, NC, USA