Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Symposium: Optik an Quantendots

HL 30.1: Fachvortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 10:30–11:00, H1

Quantenpunkte hergestellt mit atomarer Genauigkeit durch Überwachsen von Spaltflächen — •W. Wegscheider, G. Schedelbeck, M. Bichler und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Das zweimalige Überwachsen von in situ gespaltenen AlGaAs/GaAs Vielschichtstrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie eröffnet die Möglichkeit Schichtdicken in allen drei Raumrichtungen auf atomarer Skala zu kontrollieren. Auf diese Weise können am Kreuzungspunkt von drei Quantenfilmen Quantenpunkte hergestellt werden, deren Abmessungen, Form und Position vollkommen durch den Wachstumsprozess definiert ist. Hochortsauflösende, optische Spektroskopie gestattet es einzelne solcher Quantenpunkte, die Photolumineszenzlinienbreiten von weniger als 70 µeV zeigen, Paare quantenmechanisch gekoppelter Quantenpunkte sowie eindimensionale Quantenpunktübergitter zu charakterisieren. Auf diese Weise kann der Übergang vom “künstlichen Atom” zum “künstlichen Molekül” und das damit verbundene Entstehen von bindenden und antibindenden Zuständen verfolgt werden.