Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Diamant

HL 32.1: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 16:30–16:45, H14

Optisch induzierte DLTS an Diamant — •R. Zeisel, C.E. Nebel und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Die Leitfähigkeit von Diamant kann durch Bordotierung oder Wasserstoffterminierung der Oberfläche um Größenordungen erhöht werden, so daß transiente Kapazitätsmessungen zur Defektspektroskopie angewendet werden können. Um tiefe Störstellen zu spektroskopieren, ist es nötig, diese mit Licht umzuladen, anstatt thermisch, wie in der klassischen DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). Es wurden ODLTS Messungen im Bereich von 1eV ≤ ℏ ω ≤ 3eV an verschiedenen Diamantproben durchgeführt: wasserstoffterminierter, polykristalliner CVD Diamant, homoepitaktischer bordotierter CVD-Diamant und synthetischer Typ IIb Diamant. Die beiden letzteren zeigen eine starke Absorptionsschulter bei 1.2eV, was auf einen energetischen Abstand des Defektes von 1.2eV zum Valenzband schließen läßt. Der wasserstoffterminierte CVD-Diamant weist zwei Absorptionsschultern bei 1.4eV und 1.7eV oberhalb des Valenzbandes auf. Diese Defektabsorptionen werden im Vergleich mit Photoleitungsmessungen und theoretischen Modellen diskutiert.