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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Diamant

HL 32.6: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 17:45–18:00, H14

Untersuchung der Temperaturahängigkeit elektrischer Kennlinien von pip-Halbleiterteststrukturen auf Diamant — •Frank Blum, Gaby Kosaca, Reinhart Job, Andrej Denisenko und Wolfgang R. Fahrner — FernUniversität Hagen, Lehrgebiet Baulemente der Elektrotechnik, Haldener Str. 182, 58084 Hagen, Germany

Die Empfindlichkeit von dotierten Temperatursensoren auf Diamant läßt sich durch die Verwendung von pip-Dioden deutlich erhöhen. Es wurde einkristallines Substrat vom Typ IIa als Referenz für die CVD-Substrate verwendet. Die Messungen erfolgten in einem Temperaturbereich von Raumtemperatur bis maximal 450^∘C. Es ergab sich eine maximale Aktivierungsenergie von 0,3 eV. Der Temperaturkoeffizient des Widerstandes liegt mit einem Wert von -0,05 1/K bei 400^∘C etwa viermal so hoch wie der Wertfür einfache Widerstandstemperatursensoren auf Diamantsubstrat. Die Temperaturabhängigkeit von I(U)-Kennlinien der pip-Strukturen kann im Rahmen eines Trap-Modells für den intrinsischen Diamanten erklärt werden.