Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 32: Diamant
HL 32.7: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 18:00–18:15, H14
LEED und Photoemissionsuntersuchungen an Diamant(110)-Oberflächen — •F. Maier1, M. Hollering1, J. Ristein1, L. Ley1 und A. Stampfl2 — 1Institut für Technische Physik II, Universität Erlangen — 2La Trobe University, Bundoora, Australien
Im Gegensatz zu den in einem CVD-Prozeß vorherrschenden (100)- und (111)- Diamantoberflächen existieren nur wenige theoretische und experimentelle Untersuchungen an Diamant(110). Dennoch scheint diese Oberfläche eine entscheidende Rolle für das Verständnis in bezug auf das Wachstum von Diamantfilmen zu spielen [1]. Vorgestellt werden winkelaufgelöste Valenzband-Photoemissionsmessungen (ARUPS) und Untersuchungen mittels Beugung langsamer Elektronen (LEED) an der wasserstoffbedeckten und der reinen Diamant(110)-Oberfläche. Die wasserstoffreie Oberfläche zeigt einen deutlich dispergierenden besetzten Oberflächenzustand in der fundamentalen Energielücke. Die Ergebnisse werden im Rahmen vorliegender Bandstrukturrechnungen [2] diskutiert.
[1] K.E.Spear, M.Frenklach, Pure and Appl. Chem. 66 (1994) 1773
[2] G.Kern, J.Hafner, Phys.Rev.B 56 (1997) 4203