Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Optische Eigenschaften II

HL 33.3: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 17:00–17:15, H13

Lokalisierugsinduzierte Erhöhung der Biexzitonenbindungsenergie in N-dimensionalen Halbleitern — •W. Langbein and J.M. Hvam — Mikroelektronik Centret, The Technical University of Denmark, Building 345 east, DK–2800 Lyngby, Denmark

Der Einfluß der Lokalisierung von Exzitonen auf die Bindungsenergie der zugehörigen Biexzitonen wird in dem Materialsystem Al_xGa_1−xAs in quasi-3D und quasi-2D Strukturen untersucht. Wir beobachten eine Erhöhung der Biexzitonenbindungsenergie für Lokalisierungsenergien größer oder vergleichbar mit der freien Biexzitonenbindungsenergie. Diese wird in n-dimensionalen (n=1,2,3) Halbleiterstrukturen durch ein einfaches, analytisches Modell beschrieben, das im Bereich des schwachen Confinements gilt. Die Erhöhung entsteht durch die Unterdrückung der Nullpunktsenergie der Exziton-Exziton Relativbewegung im Biexziton. Im Grenzfall hoher Lokalisierungsenergien erreicht die Biexzitonenbindungsenergie einen festen Teil der Exzitonenbindungsenergi unabhängig von der anfänglichen Dimensionalität der Struktur.