Regensburg 1998 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 33: Optische Eigenschaften II

HL 33.4: Talk

Thursday, March 26, 1998, 17:15–17:30, H13

Lichtausbreitung an mikroskopisch aufgerauhten Oberflächen — •S. Schoberth¹, S. Meinlschmidt¹, R. Windisch², P. Kiesel¹, P. Heremans², G. Borghs² und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen–Nürnberg, Erwin–Rommel–Straße 1, 91058 Erlangen — ²IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgien

Der Wirkungsgrad von Halbleiter–Leuchtdioden kann durch Aufrauhung der Vorderseite und Verspiegelung der Rückseite gesteigert werden. Mikroskopisch aufgerauhte Oberflächen führen auch bei Solarzellen und Photodetektoren zu Verbesserungen, wenngleich die physikalischen Ursachen für die beobachteten Effekte noch nicht vollständig verstanden sind.

Um Aufschluß über Mechanismen der Lichtausbreitung an unebenen Grenzflächen mit Rauhigkeiten in der Größenordnung der Wellenlänge zu erhalten, wurden Reflexions–, Transmissions– und Photostrommessungen sowie Modellrechnungen durchgeführt.

Insbesondere wurde die Winkelverteilung des Lichtes innerhalb des Halbleitermaterials bei Transmission bzw. Reflexion an Oberflächen vermessen, die durch Trockenätzen mit einer Maske aus Latex–Kügelchen von 50 bis 1500 nm Durchmesser aufgerauht wurden. Hierzu wurden in die Proben InGaAs–Detektoren integriert, was eine Messung über den Grenzwinkel der Totalreflexion hinaus ermöglicht.