Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 33: Optische Eigenschaften II

HL 33.6: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 17:45–18:00, H13

Einflu"s elektrischer Felder auf die optischen Eigenschaften verspannnter InGaAs/GaAs-Doppel-Quantum-Well-Strukturen — •A. Golombek¹, R. Goldhahn¹, G. Gobsch¹, K. Vogel², S. Gramlich², and H. Wenzel² — ¹TU Ilmenau, Institut f"ur Physik, PF 100565, D-98684 Ilmenau, Germany — ²Abteilung Optoelektronik, Ferdinand Braun Institut f"ur H"ochstfrequenztechnik, Rudower Chaussee 5, D-12489 Berlin, Germany

Verspannte Doppel-Quantum-Well-Strukturen des InGaAs/GaAs Materialsystems gewinnen zunehmend an Bedeutung als Laserdioden. Es werden erstmals vergleichende Untersuchungen derartiger Strukturen mit verschiedenen Verfahren der optischen Spektroskopie, wie Elektroreflexion (ER), Photoreflexion, Photostrom, Photolumineszenz, -anregung in Abh"angigkeit von der elektrischen Feldst"arke bei verschiedenen Temperaturen (4.5 K, 80 K, 300 K) vorgestellt. Dabei zeigt sich, da"s insbesondere mit der ER "Uberg"ange detektiert werden k"onnen, die aufgrund ihres "ortlich indirekten Charakters eine geringe "Ubergangswahrscheinlichkeit besitzen. Das experimentelle Feldverhalten wird mit theoretischen Berechnungen verglichen und diskutiert.