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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Optische Eigenschaften II

HL 33.8: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:15–18:30, H13

Bestimmung des Vorzeichens des Elektron-Landé-g-Faktors in Halbleitern — •D. H"agele¹, M. Oestreich¹, A. Hansch¹, K. K"ohler², and W.W. R"uhle¹ — ¹Fachbereich Physik, Philipps-Universit"at Marburg, Renthof 5, D-35032 Marburg — ²Frauenhofer-Institut f"ur Angewandte Festk"orperphysik, Tullastra"se 72, D-79108 Freiburg

Wir geben ein neues spektroskopisches Verfahren an, welches das Vorzeichen des Elektron-g-Faktors bestimmt. Zirkular polarisierte 2ps-Pulse erzeugen in Halbleitern eine Polarisation des Elektronenspins im Leitungsband (optical orientation). Die Elektronen pr"azedieren um ein Magnetfeld, das senkrecht zur Anregungsrichtung steht. Mittels einer Messung der transienten Lumineszenz senkrecht zur Anregungsrichtung und senkrecht zum Magnetfeld bestimmen wir aus dem oszillierenden Polarisationsgrad der zirkularen Komponenten der Lumineszenz den Drehsinn der Elektronen und damit das Vorzeichen des Landé-g-Faktors. Wir demonstrieren die Anwendbarkeit des Verfahrens an Materialien mit wohlbekanntem entgegengesetztem magnetischen Moment, wobei als Volumenmaterial GaAs und InP und als Heterostruktur ein 10nm und ein 20nm Quantentrog zur Verwendung kam.