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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Optische Eigenschaften II

HL 33.9: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:30–18:45, H13

Fano-Resonanzen von Wannier-Stark-Exzitonen in Halbleiter-Übergittern — •C. Holfeld¹, F. Löser¹, M. Sudzius¹, K. Leo¹, D. M. Whittaker² und K. Köhler³ — ¹Institut für Angewandte Photophysik, TU Dresden, 01062 Dresden — ²Toshiba Cambridge Research Centre Ltd., Cambridge CB4 4WE, UK — ³Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik, 79108 Freiburg

Fano-Resonanzen entstehen durch die Kopplung eines diskreten Zustandes an ein Kontinuum (1). Dies führt zu einer charakteristischen Linienverbreiterung und einer asymmetrischen Linienform. Theoretische Untersuchungen lassen für niederdimensionale Halbleiterstrukturen solche Resonanzen erwarten. In GaAs-Volumenmaterial sind bei angelegtem Magnetfeld solche Fano- solche Kopplungen beobachtet worden. Wir zeigen erstmal die Existenz von Fano-Kopplung in GaAs- Übergittern. Hier sind diskrete Wannier-Stark-Übergänge in Resonanz mit Subbandkontinua niedriger Übergänge. Die Fano- Kopplung, die durch Coulomb-Wechselwirkung hervorgerufen wird, ist dabei durch eine angelegtes elektrisches Feld kontinuierlich varierbar. Aus linearen Absorptionsspektren wurden die Kopplungsparameter bestimmt. Theoretisch berechnete Spektren sind in sehr guter Übereinstimmung mit den gemessenen Werten. (1) U. Fano, Phys. Rev. 124, 1866 (1961).