Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Quantenpunkte II

HL 34.3: Talk

Thursday, March 26, 1998, 17:00–17:15, H1

— •M. Zimmer¹, J. Sandmann¹, G. von Plessen¹, J. Feldmann¹, H. Lipsanen² und J. Ahopelto³ — ¹Sektion Physik, LMU München, Amalienstr. 54, 80799 München — ²Optoelectr. Laboratory, Helsinki Univ. of Technology, Finnland — ³VTT Electronics, 02150 Espoo, Finnland

Um niedrige Laserschwellströme und hohe Modulationsfrequenzen von elektrisch gepumpten Quantenpunktlasern zu erreichen, ist eine schnelle Relaxation der elektrisch injizierten Ladungsträger zwischen den diskreten Quantenpunktniveaus notwendig. Wir

untersuchen die Ladungsträgerrelaxation in verspannungsinduzierten Quantenpunkten, die durch selbstorganisiertes Wachstum von InP-Inseln auf einer InGaAs/GaAs- Quantenfilmstruktur hergestellt wurden und sowohl in Elektrolumineszenz- als auch in Photolumineszenzspektren bis zu fünf diskrete Übergänge mit geringer inhomogener Verbreiterung aufweisen. Die Elektrolumineszenz wird als Funktion der Injektionsstromdichte und damit des Füllzustandes der Zustände untersucht. Die Ergebnisse aus dieser Analyse werden mit der in zeitaufgelösten Photolumineszenzexperimenten bestimmten Relaxationsdynamik verglichen.