Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Quantenpunkte II

HL 34.6: Talk

Thursday, March 26, 1998, 17:45–18:00, H1

Energierelaxation in thermisch behandelten InGaAs Quantenpunkten — •L. Finger¹, M. Nishioka², R. Hogg², F. Heinrichsdorff¹, M. Grundmann¹, Y. Arakawa² und D. Bimberg¹ — ¹Inst. f. Festkörperphysik, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²IIS, Univ. of Tokyo, Roppongi 7-22-1, Minatuku, Tokyo 106, Japan

Die Energierelaxation von Elektronen-Loch-Paaren über Wechselwirkungen mit Gitterschwingungen in Quantenpunkten hat in der letzten Zeit großes Interesse erregt [1]. Wir präsentieren die erste systematische Untersuchung von lokalisierten Mischphononen in Abhängigkeit von der Zusammensetzung und Größe der Quantenpunkte. Die selbst organisierten InGaAs Quantenpunkte in GaAs wurden mittels der MOCVD hergestellt und nachfolgend bei 500^∘C-800^∘C thermisch behandelt. Resonante Anregungs- und Absorptionsspektroskopie zeigen Relaxationsprozesse mit Multiphononen. Durch Diffusion verändert sich die chemische Zusammensetzung, Größe und Verspannung der Quantenpunkte. Die lokalen (In,Ga)As-Phononen verändern sich entsprechend zu Phononen eines ’teilweise Typ 2’ polaren Mischkristalls [2] und zeigen zusätzliche Verschiebungen der Energie aufgrund der sich ändernden Verspannung im Quantenpunkt. Thermische Nachbehandlung von Nanostrukturen erweist sich so als ein wichtiges Konzept um Relaxationsmechanismen in Nanostrukturen effektiv zu kontrollieren.

[1] R.Heitz et al., Appl.Phys Lett. 68, 361 (1996)

[2] T.P.Pear et al., Appl.Phys.Lett. 42, 436 (1983)