Regensburg 1998 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Quantenpunkte II

HL 34.7: Talk

Thursday, March 26, 1998, 18:00–18:15, H1

Hochfrequenzeigenschaften von In(Ga)As/GaAs Quantenpunktlasern — •M.-H. Mao, F. Heinrichsdorff und D. Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Die theoretisch vorhergesagten statischen Eigenschaften von Quantenpunktlasern (kleiner Schwellenstrom, geringe Temperaturempfindlichkeit, hoher differentieller Gewinn) konnten in den letzten Jahren durch experimentelle Ergebnisse größtenteils bestätigt werden. Dagegen sind die dynamischen Eigenschaften noch wenig untersucht worden. Wir berichten über die Untersuchung von Hochfrequenzeigenschaften von MOCVD-gewachsenen Halbleiterlasern, bei denen gestapelte selbstorganisierte In(Ga)As/GaAs Quantenpunkte das Gewinnmedium bilden. Dazu wurden Relaxationsoszillationen (RO) bei variierter Temperatur bis zu 300K gemessen. Die höchste RO-Frequenz eines 265 µm langen Lasers beträgt 5.3 GHz bei Raumtemperatur, entsprechend einer 3dB-Bandbreite von 8.2 GHz. Die 3dB-Bandbreite steigt zu tiefen Temperaturen aufgrund von abnehmender Gewinnsättigung an und erreicht 10 GHz bei 210 K. Unsere Ergebnisse zeigen, daß selbstorganisierte Quantenpunkte auch als Gewinnmedium in Lasern für die optische Datenübertragung geeignet sind. Die darüberhinaus gemessenen statischen Eigenschaften (interne Quantenausbeute 91 %, 40 A/cm⁻2 Transparenzstromdichte bei 300 K) belegen die hohe Qualität der untersuchten Strukturen.