Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Quantenpunkte II

HL 34.9: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:30–18:45, H1

Strahlende Rekombination in Typ II Quantenpunkten: InSb/ GaSb und GaSb/GaAs — •L. Köhne¹, F. Hatami¹, M. Grundmann¹, N. N. Ledentsov¹, D. Bimberg¹, S. S. Ruvimov², P. Werner², A. F. Tsatsul’nikov³, P. S. Kop’ev³ und Zh. I. Alferov³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, D-06120 Halle — ³A. F. Ioffe Physikalisch-Technisches Institut, 194021 St. Petersburg, Russland

Die strukturellen Eigenschaften der QP, die mittels MBE hergestellt wurden, wurden mit Transmissions-Elektronenmikroskopie untersucht. Mittels kalorimetrischer Absorptionsspektroskopie wurde das Absorptionsspektrum der QP bestimmt. Die energetische Position der QP stimmt dort mit denen Photolumineszenzspektren (PL) überein. Die PL-Peaks von InSb/GaSb und GaSb/GaAs QP liegen bei 0.69 bzw 1.16 eV bei einer Anregungsdichte von 500 W/cm² und 8 K. PL-Spektren beider Systemen mit verschiedenen Anregungsdichten zeigen eine Blauverschiebung mit der Anregungsdichte aufgrund der Ausbildung einer Dipolschicht an den Grenzflächen. Zeitaufgelöste Kathodolumineszenzmessungen an GaSb/ GaAs QP zeigen Rekombinationszeiten von 3-10 ns bei Ladungsträgerdichten von einigen Exzitonen pro QP [1]. Dies ist der Nachweis für effektive Rekombination aufgrund großen Elektron-Loch-Überlapps. Bei geringen Ladungsträgerdichten verringert sich der e-h-Überlapp.

[1] F. Hatami et al., Phys. Rev. B, im Druck