Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 35: III-V Halbleiter

HL 35.1: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 16:30–16:45, H17

Semiisolierendes InP mit hoher thermischer Stabilität durch Ruthenium Dotierung — •A. Dadgar¹, O. Stenzel², A. Näser¹, L. Köhne¹, M. Straßburg¹, W. Stolz³, H. Schumann² und D. Bimberg¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Institut für Anorganische und Analytische Chemie, TU-Berlin, Str. des 17. Juni 115, 10623 Berlin — ³WZMW, Phillips Universität Marburg, Hans-Meerwein-Str., 35032 Marburg

Semiisolierendes (s.i.) InP ist von großer Bedeutung für elektronische und optoelektronische Hochgeschwindigkeitsbauelemente. Bisher wird das thermisch instabile Fe als Kompensator in InP eingesetzt, das starke Interdiffusionseffekte mit allen bekannten p-Dotanden zeigt. Wir stellen erste Ergebnisse an MOCVD gewachsenen s.i. InP:Ru Schichten vor. Diese Schichten wurden unter Verwendung verschiedener P-Precursor, Trimethylindium als In-Quelle und bis(dimethyl-pentadienyl)ruthenium(II) zur Ru-Dotierung hergestellt. An n-i-n und p-i-p Strukturen wurden bisher Schichtwiderstände um 10⁵ Ωcm unter Elektronen- und >5x10⁸ Ωcm unter Löcherinjektion gemessen. In DLTS Untersuchungen sind mehrere tiefe Störstellen mit einer Konzentration von bis zu 3x10¹⁶cm⁻³ in Elektronen- und Löcheremission zu beobachten. Die Bestimmung der thermischen Stabilität ergibt mit D_Ru(800^∘C)=1x10⁻¹⁵cm²/s eine über 4 Größenordnungen geringere Diffusionskonstante im Vergleich zu Fe. Ferner ist keine Interdiffusion mit Zn an s.i.-InP:Ru / p-InP:Zn Grenzflächen zu beobachten.