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HL: Halbleiterphysik
HL 35: III-V Halbleiter
HL 35.10: Talk
Thursday, March 26, 1998, 18:45–19:00, H17
Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Defektbildung bei Zn-Diffusion in GaP und GaSb — •CH. JÄGER1, W. JÄGER1, J. PÖPPING2, G. BÖSKER2 und N.A. STOLWIJK2 — 1Mikrostrukturanalytik, Technische Fakultät, Christian-Albrecht-Universität zu Kiel, D-24143 Kiel — 2Institut für Metallforschung, Universität Münster, D-48149 Münster
Die Natur und die räumliche Verteilung der bei Zn-Diffusion entstehenden Kristalldefekte in GaP(001)- und GaSb(001)-Einkristallen wurde mittels analytischer Transmissionselektronenmikroskopie an Querschnittspräparaten untersucht und mit Zn-Konzentrationsprofilen aus Sekundärionenmassenspektroskopie verglichen. Eindiffusion von Zink bei unterschiedlichen Diffusionsbedingungen führt in beiden Materialien zur Bildung ähnlicher Defektstrukturen, die aus Hohlräumen mit Ausscheidungen, Versetzungen sowie vollständigen Versetzungsringen vom Zwischengitteratomtyp bestehen. Ortsauflösende Röntgenspektroskopie-Analysen ergeben, daß die Hohlräume Ga und -nach längerer Glühzeit- auch zusätzlich Zn enthalten. Für GaP werden darüber hinaus die Degradation der Kristalloberfläche und die Bildung polykristalliner Oberflächenschichten beobachtet. Die Entstehung der Defekte wird diskutiert und mit früheren Untersuchungen der Zn-Diffusion im GaAs und InP verglichen.