Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 35: III-V Halbleiter

HL 35.2: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 16:45–17:00, H17

Ultrahochvakuum-Rastertunnelmikroskop für drei Zoll große III/V Halbleiterwafer — •C. Daniels¹, K. Szot², A. Förster¹ und H. Lüth¹ — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich — ²Institute of Physics, Silesian University, 40-007 Katowice, Poland

Zur Untersuchung von III/V Halbleitern wurde eine neuartige Konzeption eines Rastertunnelmikroskops für den Einsatz im Ultrahochvakuum realisiert. Das Mikroskop ist über ein Transfersystem mit zwei vorhandenen Epitaxieanlagen verbunden. Da der Transfer zwischen den Kammern auf Halter für drei Zoll Wafer ausgerichtet ist, bedarf es für Untersuchungen mittels der Rastertunnelmikroskopie einer neuen Konstruktion. Der mechanische Aufbau folgt in seinen Grundzügen dem umgekehrten Beetle-STM-Typ. Laufring und Mikroskop werden auf dem Probenteller, auf dem der Waferhalter mit einem Durchmesser von 10 cm gelagert ist, abgelegt. Die Vibrationsentkopplung der mechanischen Schwingungen erfolgt mittels Wirbelstromdämpfung. Erste Ergebnisse der atomar aufgelösten Oberfläche von HOPG zeigen die Stabilitäts- und Auflösungseigenschaften des STM. Die komplexe Apparatur ermöglicht es, Proben mit einer VARIAN ModGenII Molekularstrahlepitaxie (MBE) und einer Metallorganischen Molekularstrahlepitaxie (MOMBE) herzustellen und in situ mittels oberflächenspezifischer Methoden (XPS, UPS, LEED und STM) zu charakterisieren.