Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 35: III-V Halbleiter
HL 35.4: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 17:15–17:30, H17
CuPtB-Ordnung in GaInAs — •H. Seitz, R. Wirth, M. Geiger, J. Porsche, F. Scholz und A. Hangleiter — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart
In der metallorganischen Gasphasenepitaxie kommt es unter bestimmten Wachstumsbedingungen zu einer Ausbildung Ga- bzw. In-reicher Ebenen in (111)- bzw. (111)-Richtung. Erstmals ist es gelungen, diese Ordnung in GaInAs auf nur eine Richtung zu beschränken[1]. Der geordnete Kristall mit der trigonalen CuPtB-Struktur besitzt eine geringere Symmetrie als die kubische Zinkblendestruktur des ungeordneten Kristalls. Weiterhin führt die Ordnung zu einer Halbierung der Brillouin-Zone in (111)-Richtung, einer Bandlückenabsenkung, einer Aufspaltung der Valenzbänder und einer Anisotropie der optischen Matrixelemente. Diese Veränderungen wurden mit Hilfe der Röntgenbeugung, Transmissionselektronenmikroskopie, Photolumineszenz und linearen bzw. nichtlinearen Transmission untersucht. Messungen der Anisotropie und der Valenzbandaufspaltung liefern erstmals die Möglichkeit, Bandstrukturrechnungen[2] zu überprüfen. Mit Hilfe verschiedener Substratverkippungen konnte der Ordnungsgrad η von 0 bis 0.44 variiert werden. Das Verhältnis von Bandlückenabsenkung und ordnungsbedingter Kristallfeldaufspaltung wurde zu 1.8± 0.4 bestimmt.
[1] R. Wirth, H. Seitz, M. Geiger, A. Mühe, F. Phillipp, F. Scholz, A. Hangleiter, Appl. Phys. Lett. 71, 2127 (1997)
[2] S.-H. Wei, D. B. Laks, A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 62, 1937 (1993)