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HL: Halbleiterphysik

HL 35: III-V Halbleiter

HL 35.6: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 17:45–18:00, H17

Ramanspektroskopische Untersuchung von antimonidischen III/V- Halbleiterheterostrukturen — •D. Serries, S. Simanowski, M. Peter, J. Schmitz, N. Herres, M. Walther und J. Wagner — Fraunhofer Institut Angewandte Festkörperphysik,Tullastraße 72, D-79108 Freiburg

Antimonidische III/V-Heterostrukturen finden wegen ihrer kleinen Bandlücke als Emitter und Detektoren im infraroten Spektralbereich Anwendung. Wir berichten über die ramanspektroskopische Untersuchung von InAs/GaInSb-Übergitterdetekor- sowie von GaInAsSb/AlGaAsSb-Quantentopflaserstrukturen. Die Ramanspektren der InAs/GaInSb-Übergitter zeigten neben zurückgefalteten akustischen Phononen bis zur 5. Ordnung und den longitudinal optischen (LO)-Übergitterphononen charakteristische Grenzflächenmoden, die eine eindeutige Identifizierung von InSb- bzw. GaAs-artigen Grenzflächen erlaubten. Aus den Frequenzen der zurückgefalteten akustischen Phononen konnte in Verbindung mit der aus hoch-auflösenden

Röntgenbeugungsmessungen bekannten Übergitterperiode die Schallgeschwindigkeit parallel zur Übergitterachse bestimmt werden. Die GaInAsSb-Quantentopf- und AlGaAsSb-Mantelführungsschichten der Laserstrukturen wurden einzeln zur Bestimmung der Schichtzusammensetzung und in einer kompletten Laserstruktur analysiert. Es wurde untersucht inwieweit Resonanzeffekte in der Ramanstreuung es ermöglichen einander überlagerte Phononenbanden den Einzelschichten zuzuordnen.