Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 35: III-V Halbleiter
HL 35.7: Vortrag
Donnerstag, 26. März 1998, 18:00–18:15, H17
Elektrische und strukturelle Eigenschaften von Be-dotiertem Low-Temperature-GaAs — •K. Thul1, M. Luysberg1, A. Mück1, K. Urban1, P. Specht2, R. Lutz2, Z. Liliental-Weber2 und E.R. Weber2 — 1Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich — 2UC Berkeley und Lawrence Berkeley National Laboratory
Low-Temperature-GaAs wird mit MBE bei 170−400 ∘C gewachsen. Dabei wird eine hohe Konzentration intrinsischer Punktdefekte, vor allem As-Antisites, eingebaut. Dies führt zu einem As-Überschuß von bis zu 1%. Tempert man undotiertes LT-GaAs, scheidet das überschüssige As aus.
Um den Einfluß einer p-Dotierung zu untersuchen, wurden Be-dotierte und undotierte Proben getempert, wobei Temperatur und Zeit variiert wurden. Mit TEM wurde Nukleation und Ostwald-Reifung von As-Ausscheidungen untersucht. As-Antisite-Konzentrationen wurden mit optischen Absorptionsspektroskopien (MCDA/NIRA) bestimmt.
Bei Be-dotierten Proben verbleibt nach dem Tempern ein Teil der As-Antisites in der Matrix, und es werden kleinere Ausscheidungen gebildet. Es erscheint möglich, ein thermisch stabiles, nicht-stöchiometrisches Material herzustellen. Hall-Messungen zeigen, daß ungetempertes, Be-dotiertes LT-GaAs hoppingleitend ist. Nach kurzer Temperung (20-90min bei 600∘C) wird das Material semi-isolierend, wogegen man nach längerem Tempern (≥ 6h) p-Leitung findet. Es wird diskutiert, ob dies Folge einer Kompensation des Be durch As-Antisites-Donatoren ist oder ob Shottky-Barrieren um Ausscheidungen eine Rolle spielen.