Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 35: III-V Halbleiter

HL 35.8: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:15–18:30, H17

Polarisationsabhängige optoelektronische Bauelemente auf der Basis von geordnetem GaInP — •J. Krauß¹, T. Kippenberg¹, G. Schmiedel¹, P. Kiesel¹, U. Hilburger¹, E. Greger², K.H. Gulden², M. Moser² und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Erwin - Rommel - Str. 1, 91058 Erlangen — ²CSEM, Badenerstr. 569, 8048 Zürich

Bei epitaktischer Abscheidung von GaInP mittels MOVPE bildet sich bei geeigneter Wahl der Wachstumsparameter spontan ein monoatomares Übergitter aus gallium- bzw. indiumreichen Ebenen.

Die Änderung der Symmetrie führt im Vergleich mit ungeordnetem Material zu einer Reduzierung der Bandlücke und einer Aufspaltung des Valenzbandes. Die Übergangswahrscheinlichkeiten der beiden resultierenden optischen Übergänge hängen von der Lichtpolarisation ab, was zu einer ausgeprägten Anisotropie der Absorption und Emission führt. Dies kann in optoelektronischen Bauelementen genutzt werden.

In der Emission auf geordnetem Material basierender LED-Strukturen wurde zwischen zwei senkrechten, in der Wachstumsebene liegenden Polarisationsrichtungen ein Kontrast von 2 dB gemessen. Der Absorptionskoeffizient weist für diese beiden Polarisationsrichtungen je nach Ordnungsgrad einen Unterschied von bis zu 4000 cm⁻¹ auf. Dies wurde zur Konstruktion polarisationssensitiver Schalter mit Schaltkontrasten von 50 dB bei Drehung der Polarisation und einer maximalen Empfindlichkeit von 3 dB pro Winkelgrad genutzt.