Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 35: III-V Halbleiter

HL 35.9: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:30–18:45, H17

Lichtemittierende Dioden auf der Basis amorpher Silizium-Suboxide — •R. Janssen¹, A. Janotta¹, U. Karrer¹, D. Dimova-Malinovska² und M. Stutzmann¹ — ¹Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching — ²Central Laboratory for Solar Energy and New Energy Resources, Bulg. Acad. Sci., blvd. Tzarigradsko Chaussee 72, 1784 Sofia, Bulgaria

Optische Absorptionsmessungen an unbehandelten und getemperten intrinsischen Suboxidschichten mittels photothermischer Deflektionsspektroskopie zeigen eine Abnahme der Defektabsorption in der Bandlückenmitte um etwa eine Grössenordnung bei Ausheiltemperaturen von 250^∘ C. Eine geringere Defektdichte der getemperten Suboxide wurde auch durch Elektronen-Spinresonanz-Messungen bestätigt. Die Herstellung von Suboxiddioden erfolgt auf TCO-beschichtetem Glassubstrat. Dabei führt wiederum eine Temperung der Suboxiddioden bei 250^∘ C zu einer erhöhten Stromdichte in Vorwärtsrichtung und zu einer Verschiebung des Intensitätsmaximums der Elektrolumineszenz zu grösseren Photonenenergien. Dies lässt sich zurückführen auf eine Verringerung der Rekombination an Defekten und damit einen zunehmenden Anteil an Band-zu-Band Rekombination und verbessert die Einsatzmöglichkeit von Suboxiddioden als Lichtemitter auf Si-Basis für die dreidimensionale Integration in Silizium-Bauelementen. Weiterhin werden analoge Untersuchungen an Suboxiddioden nach einer Implantation von Er³⁺ Ionen in die intrinsische Schicht der Dioden vorgestellt.