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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Theorie

HL 36.8: Vortrag

Donnerstag, 26. März 1998, 18:15–18:30, H15

Ab-initio Berechnung von BeSe und BeTe(100) Oberflächen und Heterostrukturen — •Diedrich Frielinghaus, Kurt Schroeder und Stefan Blügel — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Be-Chalkogenide sind eine neue Klasse von II-VI Halbleitern mit interessanten Eigenschaften: BeTe hat eine sehr kleine Gitterfehlanpassung zu ZnSe und GaAs. Die Bindungsenergie ist relativ hoch und die Versetzungsdichte gering. Ausserdem liegt die Ionizität und die Kovalenz der Be-Chalkogenide zwischen GaAs und ZnSe. Dies macht sie zu interessanten Kandidaten für neue BeTe/ZnSe Heterostrukturen für Anwendungen in Übergittern und Quantumtrogstrukturen. Bisher wurden diese Materialien theoretisch sehr wenig untersucht. In diesem Beitrag berichten wir über unsere ab initio Untersuchung zur atomaren und elektronischen Struktur von Be oder Se bzw. Te terminierten BeSe und BeTe(100) Oberflächen. Erste Ergebnisse zum Valenzbandoffset von BeTe/ZnSe Heterostrukturen werden vorgestellt. Alle Rechnungen wurden mit dem in unserer Arbeitsgruppe entwickelten ab initio Molekulardynamikprogramm auf Basis der Pseudopotentialtheorie im Rahmen der Dichtefunktionaltheorie (DFT) in der lokalen Dichtenäherung (LDA) durchgeführt. Die Qualität der von uns berechneten Pseudopotentiale wird kurz diskutiert.